考题
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
考题
目前()是电力电子装置的主导器件。
A.IGBTB.SCRC.RCTD.P-MOSFET
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
考题
MCT属于______和______器件组合而成的复合器件。它的输入侧为______,而输出侧为______,因此兼有MOSFET的______以及晶闸管的______特点。
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
考题
普通晶闸管（SCR）及其大部分派生器件不属于半控型电力电子器件。
考题
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
考题
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTRB、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
考题
为什么逆变电路中晶闸管SCR不适于作开关器件？
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
考题
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
考题
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，晶闸管属于（）A、不可控器件B、半控器件C、全控器件D、复合型器件
考题
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。A、晶闸管B、GTOC、IGBTD、IPM
考题
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
±800kV向上特高压直流输电换流站采用的换流器件是（）A、汞弧阀；B、晶闸管；C、MOSFET；D、IGBT。
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A
电压B
电流C
电阻D
功率
考题
单选题按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，晶闸管属于（）A
不可控器件B
半控器件C
全控器件D
复合型器件
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
问答题为什么逆变电路中晶闸管SCR不适于作开关器件？