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金属基底冠除气的方法是

A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

B.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

C.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min

D.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

E.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min


参考答案

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考题 用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 除气、氧化的目的是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

考题 金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是 A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B、为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位

考题 金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B、为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位

考题 除气、氧化的方法是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法,正确的是A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2~0.3mm C.机械性的结合力起最大的作用 D.贵金属合金上瓷前需预氧化 E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度