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IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?

A．Na+

B．K+

C．C1-

D．Ca2+

参考答案

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考题 下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化 B. Ca2+经突触前膜进入突触小体 C. 突触前膜释放抑制性递质 D. 突触后膜对Cl-通透性增强 E. Cl-内流产生IPSP
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考题 抑制性突触后电位（IPSP）的产生是后膜对哪种离子通透性增加A．Na+B．K+C．Ca2+D．Cl-
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考题 IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加？A．Na+B．Ca2+C．K+和Cl-，尤其是Cl-D．K+和Cl-，尤其是K+
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考题 IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加 。A．Na+B．Ca2+C．K+和Cl-，尤其是Cl-D．Na+ ．K+和Cl-，尤其是K+
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考题 IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加A．Na+ B.B．Ca2+C．K+和Cl-，尤其是Cl-D．K+和Cl-，尤其是K+
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考题 IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加A．Na+B．Ca2+C．K+和Cl-，尤其是Cl- D．K+和Cl-，尤其是K+
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