晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。() 此题为判断题(对，错)。

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晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

此题为判断题(对，错)。

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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

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考题晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

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考题以下哪个条件不能使晶体管具有良好的放大性能A．发射结正偏，集电结也正偏B．发射区高掺杂C．基区宽度较小D．集电区低掺杂

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考题 NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区，分别是发射区，基区和集电区

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考题 11、为保证放大模式的应用，BJT在工艺制造中需满足（）。A．发射区掺杂浓度最高B．基区宽度极薄C．集电结面积远远大于发射结面积D．发射区和集电区掺杂浓度一样E．基区足够宽F．集电结面积和发射结面积一样大

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考题晶体管的发射区和集电区是同种类型的杂质半导体，所以发射区和集电区交换使用。

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考题 NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区，分别是发射区，基区和集电区。

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考题双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是，其次制备的是，最后制备的是A．集电区、基区、发射区B．基区、发射区、集电区C．栅区、源区、漏区D．基区、集电区

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考题三极管放大内部结构要求：（）A．发射区高掺杂B．基区做得很薄，掺杂较少C．集电结面积大D．三个区，三个极，两个结

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