考题
强力霉素的pH值为多少()。
A、1.8B、2.5C、10.0D、11.0
考题
内存按技术规格分,可分为哪几种类型()
A.EDO内存B.SDRAM内存C.DDR内存D.Rambus内存
考题
只有一个凹缺口的内存是()。
A.SDRAMB.DDRC.RDRAMD.RAMBUS
考题
RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中()位内存总线。
A.16B.32C.64D.128
考题
预焙槽上，阳极消耗速度大约每日（）厘米。A、1.5～1.8B、2.5C、2.5~3D、0.5~1
考题
计算机光存储设备的工作电压为（）A、1.5B、3C、3.3D、5
考题
AGV小车供电系统电压（）VA、220B、36C、24
考题
8MeV的R80是（）cmA、1.8B、2.6C、3.3D、4.lE、5.2
考题
精矿粉堆比重在（）左右。A、1.1～1.8B、1.9～2.5C、2.6～3.5
考题
电接点压力表的报警上限为（）Mpa。A、1.8B、2.5C、2.6D、3.4
考题
性能最高的内存是（）。A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、RAMBUS内存
考题
Rambus DRAM是（）公司最早提出的一种内存规范。A、LGB、HyundaiC、RambusD、KingMax
考题
RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中（）位内存总线。A、16B、32C、64D、128
考题
RAMBUS内存槽有（）只引脚A、72B、2.5C、184D、192
考题
DDR内存的工作电压是（）VA、1.5B、2.5C、3.3D、5
考题
DDR内存槽的供电电压为（）VA、1.8B、2.5C、3.3D、5
考题
内存按技术规格分，可分为哪几种类型（）A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、Rambus内存
考题
只有一个凹缺口的内存是（）。A、SDRAMB、DDRC、RDRAMD、RAMBUS
考题
层间绝缘宽度应为槽形中间宽度的（）倍。A、1.5～1.8B、2～2.5C、2.5～3D、3～5
考题
单选题DKZ5型车的供电电压DC750V及变化范围DC（）VA
550-950B
500-900C
500-850
考题
单选题手提灯的供电电压不应超过（）VA
12B
6C
50D
24
考题
单选题SDRAM内存槽的供电电压为（）VA
1.8B
2.5C
3.3D
5
考题
单选题RAMBUS内存槽有（）只引脚A
72B
2.5C
184D
192
考题
单选题RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中（）位内存总线。A
16B
32C
64D
128
考题
单选题RAMBUS内存槽的供电电压为（）VA
1.8B
2.5C
3.3D
5
考题
单选题DDR内存的工作电压是（）VA
1.5B
2.5C
3.3D
5
考题
单选题AGV小车供电系统电压（）VA
220B
36C
24