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中子吸收体(剂)neutronabsorber
参考答案
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考题
通常称中子吸收体为控制元件。控制元件的总反应性应当()。A、大于(后备)剩余反应性与停堆余量之和B、等于(后备)剩余反应性与停堆余量之和C、大于负反应性与(后备)剩余反应性之和D、等于负反应性与(后备)剩余反应性之和
考题
单选题通常称中子吸收体为控制元件。控制元件的总反应性应当()。A
大于(后备)剩余反应性与停堆余量之和B
等于(后备)剩余反应性与停堆余量之和C
大于负反应性与(后备)剩余反应性之和D
等于负反应性与(后备)剩余反应性之和
考题
单选题半价层(HVL)定义为( )A
使射线能量减弱至一半所需要的吸收体的厚度B
使射线强度减弱至一半所需要的吸收体的厚度C
使吸收系数减弱至一半所需要的吸收体的厚度D
使射线能量和强度同时减弱至一半所需要的吸收体的厚度E
使射线能量和吸收系数同时减弱至一半所需要的吸收体的厚度
考题
单选题向堆芯插入或抽出中子吸收体是最常见的改变反应堆有效倍增因子的方法,通常称中子吸收体为()元件。A
功率B
展平C
控制D
安全
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