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在60Coγ源与工作人员之间设置3个半减弱层的铅屏蔽,则γ射线的强度将减弱至原来的()。

  • A、三分之一
  • B、六分之一
  • C、九分之一
  • D、八分之一

参考答案

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考题 作屏蔽材料用于屏蔽β射线的物质 ( )A、铅B、铝C、铁D、铜E、锌

考题 中子伽马仪器在晶体与中子源之间装有铅屏蔽,是为了对操作人员进行屏蔽保护。() 此题为判断题(对,错)。

考题 中子伽马仪器探测器晶体与中子源之间的铅屏蔽是防止中子源伴生的()直接进入探测器。 A、中子源B、α射线C、β射线D、γ射线

考题 中子伽马仪探测器的晶体与中子源之间使用()作屏蔽。 A、石蜡B、铅C、石棉D、聚乙烯

考题 一个γ点源外2m处剂量率为400μSv/h,欲使1m处工作人员半小时所受剂量不超过100μSv,需要设置()mm厚的铅屏蔽层。(铅的半厚度为13mm。)

考题 外照射的( )防护法就是在人与辐射源之间设置屏蔽层。 A.距离B.时间C.屏蔽D.源项控制

考题 在60Coγ源与工作人员之间设置3个半减弱层的铅屏蔽,则γ射线的强度将减弱至原来的( )。 A.三分之一B.六分之一C.八分之一D.九分之一

考题 关于屏蔽防护,叙述错误的是 A、屏蔽是指在射线源和人员之间设置一种能有效吸收X线的屏蔽物B、防护材料的屏蔽性能通常以铅为参照物C、有主防护和副防护之分D、把达到与一定厚度的某屏蔽材料相同的屏蔽效果的铅层厚度称为该材料的铅当量E、主防护是指对散射线或漏射线的防护

考题 在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的导体等电位,并与绝缘层良好接触,从而可避免在导体与绝缘层之间发生局部放电,这层屏蔽又称为()A、外屏蔽层B、内屏蔽层C、主屏蔽层D、次屏蔽层

考题 外照射防护法中在人与源之间设置屏蔽层称为。()A、距离防护法B、时间防护法C、屏蔽防护法D、源项控制法

考题 某射线源,铅的半值层为3mm,问铅的1/10和1/20值层分别为多少?

考题 γ射线束的能量为1MeV,用铅作屏蔽材料,欲使γ射线束的强度减弱到原始值的1/16,需要几个半值层厚度?

考题 在采用高能射线进行射线照相时,不能在胶片暗盒背后放置铅屏蔽,因为()A、高能射线能在铅屏蔽上激发出较强的散射线B、高能射线能在铅屏蔽上激发出较强的高能电子C、使用铅屏蔽反而会降低影像质量D、以上都对

考题 在Γ点源与人之间设置3个半值层的屏蔽物质,则人员处Γ射线的强度将减至原来的()A、三分之一B、六分之一C、八分之一D、九分之一

考题 铱192射线检测中,在某位置使用25mm铅屏蔽后测得剂量为2mR/h,若无此屏蔽时其剂量应为多少?(铱192对铅的半值层为5mm)()A、32mR/hB、64mR/hC、25mR/hD、50mR/h

考题 在工业射线照相中的射线防护的方法有()A、缩短人体接触射线的时间B、远离射线源C、在射线与人体之间加上一层屏蔽物D、以上都是

考题 屏蔽()常用铅、铁、水泥、砖、石等。A、β射线B、α射线C、γ射线

考题 在射线探伤中,应用屏蔽防护时常用的材料是铅或混凝土。

考题 外照射的()防护法就是在人与辐射源之间设置屏蔽层。A、距离B、时间C、源项D、屏蔽

考题 单选题在采用高能射线进行射线照相时,不能在胶片暗盒背后放置铅屏蔽,因为()A 高能射线能在铅屏蔽上激发出较强的散射线B 高能射线能在铅屏蔽上激发出较强的高能电子C 使用铅屏蔽反而会降低影像质量D 以上都对

考题 单选题关于屏蔽防护,叙述错误的是()。A 屏蔽是指在射线源和人员之间设置一种能有效吸收X线的屏蔽物B 防护材料的屏蔽性能通常以铅为参照物C 有主防护和副防护之分D 把达到与一定厚度的某屏蔽材料相同的屏蔽效果的铅层厚度称为该材料的铅当量E 主防护是指对散射线或漏射线的防护

考题 单选题在Γ点源与人之间设置3个半值层的屏蔽物质,则人员处Γ射线的强度将减至原来的()A 三分之一B 六分之一C 八分之一D 九分之一

考题 单选题铱192对铅的半值层为0.12cm,若射线剂量须由20mR/h降低为2mR/h以下,最少铅屏蔽厚度是()A 0.48cmB 0.36cmC 0.24cmD 0.12cm

考题 单选题在工业射线照相中的射线防护的方法有()A 缩短人体接触射线的时间B 远离射线源C 在射线与人体之间加上一层屏蔽物D 以上都是

考题 问答题γ射线束的能量为1MeV,用铅作屏蔽材料,欲使γ射线束的强度减弱到原始值的1/16,需要几个半值层厚度?

考题 单选题铱192射线检测中,在某位置使用25mm铅屏蔽后测得剂量为2mR/h,若无此屏蔽时其剂量应为多少?(铱192对铅的半值层为5mm)()A 32mR/hB 64mR/hC 25mR/hD 50mR/h

考题 单选题外照射防护法中在人与源之间设置屏蔽层称为()A 距离防护法B 时间防护法C 屏蔽防护法D 源项控制法