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根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

  • A、NPN型低频小功率硅晶体管
  • B、NPN型高频小功率硅晶体管
  • C、PNP型低频小功率锗晶体管
  • D、NPN型低频大功率硅晶体管

参考答案

更多 “根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管” 相关考题
考题 半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
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考题 半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。
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考题 整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
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考题 不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。
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考题 （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
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考题 半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
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考题 半导体分立器件如何分类？
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考题 主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？
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考题 光子探头器件采用（）致冷。A、半导体一级B、半导体二级C、半导体三级
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考题 半导体器件的参数有多种测试方法，但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法，为此就应选用半导体管特性图示仪。
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考题 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
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考题 某发明专利申请的权利要求1如下：“权利要求1：一种半导体器件，包括部件a、b、c。”下列哪些权利要求的撰写存在缺陷？（）A、权利要求2：如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于dB、权利要求2：制造如权利要求1所述的半导体器件的方法，其特征在于eC、权利要求2：如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述部件f由铜制成D、权利要求2：如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括部件g
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考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
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考题 什么叫半导体？常用的半导体器件有哪些？
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考题 具有自关断能力的电力半导体器件称为（）。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件
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考题 GB249—74标准规定，半导体器件型号命名及符号意义有五部分组成，第一部分用数字表示器件的电级数目。
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考题 GB249—74标准规定半导体器件的命名方法由五部分组成，第四部分用数字表示器件的（）。
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考题 半导体器件封装材料
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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 GB249—74标准规定半导体器件的命名方法由五部分组成，第二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和（）。
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考题 半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
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考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBT
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考题 填空题GB249—74标准规定半导体器件的命名方法由五部分组成，第二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和（）。
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考题 填空题GB249—74标准规定半导体器件的命名方法由五部分组成，第四部分用数字表示器件的（）。
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考题 判断题GB249—74标准规定，半导体器件型号命名及符号意义有五部分组成，第一部分用数字表示器件的电级数目。A 对B 错
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考题 多选题功率半导体器件按照驱动信号类型可分类为（）。A不可控器件B电流驱动型C电压驱动型D半控型器件
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