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采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm

参考答案

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考题 为什么锗半导体材料最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？
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考题 雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应
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考题 由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
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考题 3BX31是（）三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型
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考题 简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
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考题 半导体色敏传感器又称为（）。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池
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考题 硅光电池的光谱响应波长范围比锗光的光谱响应波长范围广。
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考题 若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V，5.3V和10V，则该管一定是（）A、硅材料NPN管B、硅材料PNP管C、锗材料NPN管D、锗材料PNP管
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考题 硅和锗半导体材料都是晶体结构。
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