网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()

  • A、硒鼓探测器,
  • B、IP成像转换器,
  • C、直接转换平板探测器,
  • D、间接转换平板探测器,
  • E、多丝正比室检测器

参考答案

更多 “应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()A、硒鼓探测器,B、IP成像转换器,C、直接转换平板探测器,D、间接转换平板探测器,E、多丝正比室检测器” 相关考题
考题 关于非晶硅探测器的工作原理,下列正确的是()。A.X线光子→闪烁晶体→可见光→非晶硅光电二极管阵列→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像B.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像C.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→可见光→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像D.X线光子→可见光→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像E.X线光子→电信号→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像

考题 属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

考题 利用碘化铯闪烁体和非晶硅作为探测元的检测器是A硒鼓检测器BIP成像转化器C直接转化平板探测器D间接转化平板探测器E多丝正比室检测器

考题 非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A、碘化铯闪烁体B、开关二极管C、光电二极管D、电容器E、模数转换器

考题 属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 属于DR成像直接转换方式的部件是()A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

考题 利用碘化铯闪烁体和非晶硅作为探测元的检测器是()A、硒鼓检测器B、IP成像转化器C、直接转化平板探测器D、间接转化平板探测器E、多丝正比室检测器

考题 关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层

考题 多选题DR使用过的平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅

考题 单选题GE悬吊无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD

考题 单选题Siemens Inspiration探测器的材质()A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

考题 单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A 表面电极B 基板层C 光电二极管D 非晶硅TFT阵列E 碘化铯晶体层

考题 单选题非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A 碘化铯闪烁体B 开关二极管C 光电二极管D 电容器E 模数转换器

考题 单选题下列哪个是直接成像的平板探测器?(  )A 非晶硅B 碘化铯C 二极管D 闪烁晶体E 非晶硒

考题 单选题Crystal探测器材质()A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

考题 单选题Pristina探测器的材质()A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

考题 单选题西门子乳腺机Fusion探测器材质()A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

考题 单选题属于DR成像直接转换方式的部件是()A 闪烁体+CCD摄像机阵列B 非晶硒平板探测器C 碘化铯+非晶硅探测器D 半导体狭缝线阵探测器E 多丝正比电离室

考题 多选题非晶硅平板探测器的结构包括(  )。A保护层B碘化铯闪烁体层C非晶硅光电二极管阵列D行驱动电路E图像信号读取电路

考题 单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A 碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C 硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D 非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是()A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 单选题Hologic Selenia Dimensions探测器的材质()A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器

考题 单选题DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD

考题 多选题DSA非晶硅平板探测器的构成。()A碘化铯构成的闪烁体层BCCD层C信号读出电路D石英玻璃衬体E非晶硅薄膜晶体管阵列层