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产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。

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考题 电子跃迁的类型不正确的是A．π→π*跃迁B．n→n*跃迁C．π→σ*跃迁D．σ→σ*跃迁E．n→π*跃迁
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考题 特征辐射的产生是由于（　）A、核外内层电子向外层电子跃迁B、核外外层电子向内层电子跃迁C、核外外层电子向内层电子空穴跃迁D、核外内层电子向外层电子空穴跃迁E、核外内层电子向光学轨道跃迁
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考题 分子吸收红外光产生电子跃迁，吸收紫外——可见光后产生转动跃迁。
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考题 下述哪种跃迁产生散射光谱？（）A、原子外层电子的跃迁B、原子内层电子的跃迁C、分子外层电子的跃迁D、分子振动和转动能级的跃迁
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考题 原子荧光光谱是（）A、原子的电子跃迁产生的光谱B、原子的各层电子跃迁产生的光谱C、原子的外层电子跃迁产生的光谱D、原子的内层电子跃迁产生的光谱E、原子的s层电子跃迁产生的光谱
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考题 原子吸收光谱产生的原因是（）。A、分子中电子能级跃迁B、转动能级跃迁C、振动能级跃迁D、原子最外层电子跃迁
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考题 原子发射光谱是由（）跃迁产生的，线光谱的原因是（）的（）。
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考题 在极性溶剂中π→π*跃迁产生的吸收带蓝移，而n→π*跃迁产生的吸收带则发生红移。
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考题 红外吸收光谱的产生是由（）A、分子外层电子、振动、转动能级的跃迁B、原子外层电子、振动、转动能级的跃迁C、分子振动-转动能级的跃迁D、分子外层电子的能级跃迁
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考题 下列哪种跃迁产生拉曼散射光谱？（）A、原子外层电子的跃迁B、原子内层电子的跃迁C、分子外层电子的跃迁D、分子振动和转动能级的跃迁
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考题 原子发射光谱是由（）跃迁产生的，线光谱的形成原因是（）
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考题 由于大多数化合物半导体的能带结构都是（），因此不像间接跃迁的Si那样容易产生太阳能电池特性的放射线（）现象。
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考题 电子从价带向上跃迁前后电子动量不发生变化，发生垂直移动的称为（）。A、间接跃迁B、直接跃迁C、垂直跃迁D、光电传导效应
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考题 物质与电磁辐射相互作用后，产生紫外-可见吸收光谱，这是由下列哪项引起的（）A、分子中振动能级跃迁B、分子中转动能级跃迁C、分子中电子能级跃迁D、分子中振动和转动能级跃迁
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考题 红外吸收光谱的产生，主要是由于下列哪种能级的跃迁（）A、分子中电子、振动、转动能级的跃迁B、分子中振动、转动能级的跃迁C、分子中转动、平动能级的跃迁D、分子中电子能级的跃迁
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考题 原子荧光是由下列哪种原因产生的（）A、气态基态原子外层电子对共振线的吸收B、辐射能使气态基态原子外层电子产生跃迁C、电热能使气态基态原子外层电子产生跃迁D、辐射能使原子内层电子产生跃迁
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考题 单选题红外吸收光谱的产生是由于（）A 分子外层电子、振动、转动能级的跃迁B 原子外层电子、振动、转动能级的跃迁C 分子振动-转动能级的跃迁D 分子外层电子的能级跃迁
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考题 单选题原子吸收光谱产生的原因是（）。A 分子中电子能级跃迁B 转动能级跃迁C 振动能级跃迁D 原子最外层电子跃迁
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考题 问答题什么是直接跃迁和间接跃迁？他们有哪些区别？
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考题 单选题红外吸收光谱的产生，主要是由于下列哪种能级的跃迁（）A 分子中电子、振动、转动能级的跃迁B 分子中振动、转动能级的跃迁C 分子中转动、平动能级的跃迁D 分子中电子能级的跃迁
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考题 单选题原子荧光光谱是（）A 原子的电子跃迁产生的光谱B 原子的各层电子跃迁产生的光谱C 原子的外层电子跃迁产生的光谱D 原子的内层电子跃迁产生的光谱E 原子的s层电子跃迁产生的光谱
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考题 判断题常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。A 对B 错
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考题 判断题杂质吸收与激子吸收相同，都导致电子在能带与能带之间跃迁。A 对B 错
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考题 单选题物质与电磁辐射相互作用后，产生紫外-可见吸收光谱，这是由下列哪项引起的（）A 分子中振动能级跃迁B 分子中转动能级跃迁C 分子中电子能级跃迁D 分子中振动和转动能级跃迁
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考题 单选题下列哪种跃迁产生拉曼散射光谱？（）A 原子外层电子的跃迁B 分子振动和转动能级的跃迁C 分子外层电子的跃迁D 原子内层电子的跃迁
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考题 问答题（1）铁氧体按结构分有哪六种主要结构？ （2）半导体激光器中，与激光辐射相关的三个能级跃迁过程是什么？
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考题 单选题原子荧光是由下列哪种原因产生的（）A 气态基态原子外层电子对共振线的吸收B 辐射能使气态基态原子外层电子产生跃迁C 电热能使气态基态原子外层电子产生跃迁D 辐射能使原子内层电子产生跃迁
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