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关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）
- A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
- B、在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
- C、p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
- D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
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考题
以下关于前反向链路衰落的说法，错误的是（）。A、前向链路衰落的显著特征有前向FER很高。B、如果反向链路衰落得太快，切换指示消息就无法被基站接收，导致切换失败。C、如果前向链路衰落得太快，切换指示消息就无法被移动台接收，导致切换失败。D、反向链路衰落的显著特征有反向FER很高。
考题
关于稳压二极管的特性，下列说法中正确的有（）A、它在正向击穿电压状态下工作B、当反向电压小于其击穿电压时，反向饱和电流近似为零C、当反向电压大于其击穿电压时，反向饱和电流急剧增大D、其内部结构与晶体三极管相似E、它在反向击穿电压状态下工作
考题
单选题下列关于样本规模的说法中，错误的是（）。A
可接受的抽样风险与样本规模成反向变动关系B
可容忍误差与样本规模成反向变动关系C
预计总体误差与样本规模成反向关系D
总体规模对样本规模的影响很小
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