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单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为（）电压。

  • A、谷底
  • B、谷点
  • C、峰点
  • D、峰顶

参考答案

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考题 对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。 A、小于B、等于C、大于D、远大于
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考题 加在发射极上的电压高于峰点电压后,单结晶体管就导通。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 当单结晶体管的发射极电压高于()电压时,就导通。 A.额定B.峰点C.谷点D.安全
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考题 当输入电压为正弦信号时,若NPN管共发射极放大电路发生饱和失真,则输出电压的波形将()。 A.正半周削波B.负半周削波C.不削波
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考题 10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（ ）
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考题 下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
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考题 单结晶体管达到导通时的发射极电压叫（）电压，从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作（）电压。
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考题 单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
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考题 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时，就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全
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考题 单结晶体管导通条件表述不正确的是（）。A、发射极电压大于峰点电压B、发射极电压小于峰点电压C、发射极电压小于谷点电压D、发射极电压大于谷点电压
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考题 单结晶体管的发射极电压高于（）电压时就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全
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考题 单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于（）。A、发射极电压UeB、电容CC、电阻rbD、分压比η
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考题 半导体三极管起放大作用时，必须（）A、发射极与集电极都加正向电压；B、发射极与集电极都加反向电压；C、发射极加正向电压，集电极加反向电压；D、发射极加反向电压，集电极加正向电压；
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考题 单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极
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考题 单结晶体管的发射极电压高于（）时就会导通，低于（）时就截止。
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考题 当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时就导通；低于（）电压时就截止。
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考题 单结晶体管导通条件是（）。A、发射极电压大于峰点电压；B、发射极电压小于峰点电压；C、发射极电压小于谷点电压；D、发射极电压大于谷点电压。
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考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法（）。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 当单结晶体管的发射极电压UE升高到（）时，就会导通。A、峰点电压UPB、谷点电压UVC、两基极间电压UBB
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考题 填空题当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时就导通；低于（）电压时就截止。
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考题 单选题单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A 谷点B 峰点C 阴极D 阳极
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考题 填空题单结晶体管达到导通时的发射极电压叫（）电压，从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作（）电压。
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考题 填空题单结晶体管的发射极电压高于（）时就会导通，低于（）时就截止。
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考题 单选题单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为（）电压。A 谷底B 谷点C 峰点D 峰顶
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