考题
在DTL型调节器中,只进行PI运算时,微分电容和微分电阻的状态为()。
A、电容短路，电阻短路;B、电容开路，电阻短路;C、电容开路，电阻开路;D、电容短路，电阻开路
考题
列车供电装置的阻容开关柜中安装有:滤波电容、接地元件及开关、供电绕组阻容保护元件以及直流侧滤波电容的()。
考题
在可控硅阻容保护中，电容开路，电阻的运行温度降为环境温度。此题为判断题(对，错)。
考题
穿墙套管的运行规定中，油纸电容型穿墙套管在最低环境温度下不应出现（）。电压$;$正压$;$负压$;$电流
考题
晶闸管过电压保护有（）。A、阻容保护B、稳压管保护C、非线性电阻保护D、二极管保护E、场效应管保护
考题
防止过电流的晶闸管保护装置常用的是（）。A、快速熔断器保护B、阻容保护C、压敏电阻保护D、硒堆保护
考题
维持电流IH就是在规定的环境温度和控制极开路的条件下，晶闸管触发导通后维持导通状态所需的最小阳极电流。
考题
维持电流指在控制极开路和规定环境温度条件下，维持晶闸管继续导通所需的阳极最小正向电流
考题
晶闸管的过电压保护，通常有以下几种措施：（）。A、电压继电器保护B、阻容吸收电路C、硒堆保护D、加装避雷器保护E、压敏电阻保护
考题
常用的晶闸管过流保护是（）A、快速熔断器B、阻容吸收装置C、热敏电阻D、压敏电阻
考题
在晶闸管过流保护电路中，要求（）限于快速熔断器动作。A、过流继电器B、阻容吸收装置C、直流快速开关D、压敏电阻
考题
（）是晶闸管装置常采用的过电压保护措施之一。A、热敏电阻B、硅堆C、阻容吸收D、灵敏过电流继电器
考题
阻容吸收回路可以对晶闸管进行过电流保护。（）
考题
晶闸管的过电压保护采用（）作保护。A、锈丝管B、快速容断器C、压敏电阻或阻容元件D、压敏电阻
考题
电容器的室外环境温度超过30℃时，应将电容器退出运行。
考题
在变流装置主桥臂的每只晶闸管上串联一只（），当主变压器次边短路时，对晶闸管实行保护。A、电阻B、电容C、快速熔断器
考题
晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。A、电阻B、电容C、电感D、阻容元件
考题
在可控硅阻容保护中，电容短路，电阻的运行温度（）。A、降低B、升高C、不变
考题
电容器的运行环境温度不应超过40℃。运行中电容器芯子最热点温度不超过（），电容器外壳温度不得超过（）。A、40℃、35℃B、50℃、45℃C、60℃、55℃D、70℃、65℃
考题
晶闸管电路中常用保护方式为（）。A、热继电器B、快速熔断器C、阻容吸收保护D、压敏电阻E、稳压管
考题
在微变等效电路中，耦合电容可以看成（）。A、短路的B、开路的C、一个电阻D、与电容量成比例的电阻
考题
防止过电压作用于晶闸管的保护措施一般有（）。A、阻容保护B、硒堆保护C、压敏电阻保护D、（A）、（B）和（C）
考题
防止过电压作用于晶闸管的保护措施一般有（）。A、阻容保护B、硒堆保护C、压敏电阻保护D、D、B和C组合
考题
在可控硅阻容保护回路中，电容短路，电阻的运行温度（）。A、降低B、升高C、不变D、无法确定
考题
多选题晶闸管电路中常用保护方式为（）。A热继电器B快速熔断器C阻容吸收保护D压敏电阻E稳压管
考题
单选题晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。A
电阻B
电容C
电感D
阻容元件