考题
在整流电路中,三相半波整流电路输出的直流电脉动最小。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。
考题
在单相整流电路中，单相半波整流电路输出的直流脉动最大。
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
考题
50HZ交流电路半波整流后，其输出为（）。A、直流B、交流C、50HZ脉动直流D、100HZ脉动直流
考题
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。A、2.83倍；B、2倍；C、1倍；D、1.414倍。
考题
正弦交流信号经半波整流电路后，输出的是（）.A、正弦交流B、平滑的直流C、脉动直流D、方波
考题
单相半波整流电路的电路简单，但直流输出电压低、脉动大、整流效率低。
考题
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。
考题
在直流耐压试验的半波整流线路中，高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的倍数为（）。A、2倍B、1倍C、1/2倍
考题
单选题产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A
升压试验变压器TB
高压硅堆VC
保护电阻R
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A
对B
错
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A
对B
错
考题
多选题产生高压的半波整流电路由（）构成。A升压试验变压器TB高压硅堆VC滤波电容CD保护电阻R
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。A
对B
错
考题
单选题在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）A
2.83倍B
2倍C
1倍D
1.414倍