考题
硅二极管的死区电压约为()伏。
A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
考题
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅材料二极管的死区电压为()V。
A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
考题
一般硅二极管死区电压为小于（）V。A、0.7B、0.5C、0.3D、0.1
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路
考题
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
考题
当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、接通的开关
考题
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A
立即导通B
若超过0.3V才导通C
若越过死区电压就导通
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？