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均匀形核必须具备的条件是：1.必须过冷；2. 必须具备与一定多冷度相适应的（）和（）。
参考答案
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考题
下面对“开车联锁”叙述正确的是（）A、开车必须具备条件，开车正常后不会造成停车的联锁B、开车必须具备条件，开车后能造成停车的联锁C、开车不需具备条件，开车后必须具备条件的联锁D、开车不需具备条件，开车后能造成停车的联锁
考题
下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
考题
多选题关于均匀形核，以下说法正确的是（）。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C结构起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度△T越大，则临界半径越大
考题
填空题半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量，为了出现光电势，还必须具备一定的附加条件，以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中，必须（），在均匀半导体中，必须具备另外一些附加条件，比如（）或（）。
考题
单选题纯金属均匀形核时（）A
当过冷度很小时，原子可动性低，相变驱动力低，因此，形核率低B
当过冷度很小时，原子可动性高，相变驱动力高，因此，形核率低C
当过冷度很小时，原子可动性低，相变驱动力高，因此，形核率低D
当过冷度很小时，原子可动性高，相变驱动力低，因此，形核率低
考题
多选题以下说法中，（）说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核
考题
多选题下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A非均匀形核比均匀形核的形核率高；B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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