考题
硅整流二极管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是( )。
A. 断态重复峰值电压B.反向重复峰值电压C. A和B中较大者D. A和B中较小者
考题
晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压
考题
某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压为700V(不考虑安全裕量)。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶闸管门极断路而器件的结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压称为（）峰值电压。A、断态重复B、断态不重复C、反向重复D、反向不重复
考题
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
考题
允许重复加在晶闸管两端的电压为（）。A、正向转折电压的有效值B、反向转折电压的有效值C、正反向转折电压的峰值减去100VD、正反向转折电压的峰值
考题
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
考题
晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。A、50B、80C、100D、120
考题
当快速熔断器熔断时，应检查整流管的（）。A、反向重复峰值电压B、正向重复峰值电压
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。 A、200B、500C、700D、1200
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压
考题
如某晶闸管的正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
晶闸管整流元件的额定电压是指它的反向不重复峰值电压。
考题
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压
考题
晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV） E、维持电流IH
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
考题
一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
单选题取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A
转折电压B
反向击穿电压C
阈值电压D
额定电压