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地址一般分为行、列地址的是（）。

  • A、EEPROM
  • B、Flash
  • C、静态RAM
  • D、动态RAM

参考答案

更多 “地址一般分为行、列地址的是（）。A、EEPROMB、FlashC、静态RAMD、动态RAM” 相关考题
考题 相对地址的表示形式为行号在前，列号在后的为一般地址。（ ）
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考题 在Excel 2003中,列地址或行地址的绝对引用是在列标或行号的前面加上字符______。 A.$B.#C.*D.&
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考题 ● 在Excel 中，单元格地址绝对引用的方法是 （52） 。A．在单元格地址前 “＄”B．在单元格地址后 “＄”C．在构成单元格地址的行标号和列标号前分别 “＄”D．在构成单元格地址的行标号和列标号之间 “＄”
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考题 在Excel中一个单元格的行地址或列地址前,为表示为绝对地址引用应该加上的符号是() A、@B、#C、$D、%
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考题 在Excel中，单元格地址绝对引用的方法是(52)。A．在单元格地址前加“$”B．在单元格地址后加“$”C．在构成单元格地址的行标号和列标号前分别加“$”D．在构成单元格地址的行标号和列标号之间加“$”
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考题 DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个
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考题 用绝对地址引用的单元在公式复制中目标公式会()。 A、不变B、变化C、列地址变化D、行地址变化
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考题 关于TRas#描述正确的是（）A、行地址控制器延迟时间，简称CLB、列动态时间，也称tRASC、列地址控制器预充电时间，简称tRP
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考题 动态存储器刷新时只需要提供（）地址。A、行地址B、列地址C、行、列地址D、以上都不对
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考题 关于RAS#Precharge描述正确的是（）A、列地址至行地址的延迟时间，简称RCDB、行地址控制器延迟时间C、列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟D、列地址控制器预充电时间，简称tRP
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考题 在excel2003中，单元格地址包括的信息是所在位置的（）A、列和行的地址B、内容C、列地址D、行地址
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考题 在excel2003中，列地址或行地址的绝对引用是在列标或行号的前面加上字符（）A、$B、#C、*D、
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考题 DRAM芯片怎么有行地址又有列地址？
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考题 Intel 2164A芯片的地址分为行和列地址线。分时使用，所以有（）条。A、14B、16C、8D、10
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考题 在Excel 2010中，单元格地址包括所在位置的（）。A、行地址B、列地址C、列和行的地址D、区域地址
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考题 内存的时序参数TRas#表示（）.A、行地址控制器延迟时间B、列地址至行地址的延迟时间C、列地址控制器预先充电时间D、列动态时间
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考题 内存的时序参数RAS#toCAS#表示（）.A、列地址至行地址的延迟时间B、行地址控制器延迟时间C、列地址控制器预充电时间D、列动态时间
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考题 用相对地址引用的单元在公式复制中目标公式会（）。A、不变B、变化C、列地址变化D、行地址变化
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考题 在一个单元格引用的行地址或列地址前，若表示为绝对地址则添加的字符是（）A、@B、#C、$D、%
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考题 在Excel中一个单元格的行地址或列地址前，为表示绝对地址引用应该加上的符号是（）。A、＠B、#C、$D、%
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考题 在Excel 2010中，使用地址$D$1引用工作表第D列（即第3列）第1行的单元格，这称为对单元格的（）。A、绝对地址引用B、相对地址引用C、混合地址引用D、三维地址引用
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考题 CPU可以直接从内存芯片中获取存储单元的行地址和列地址。
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考题 单选题用相对地址引用的单元在公式复制中目标公式会（）。A 不变B 变化C 列地址变化D 行地址变化
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考题 单选题Intel 2164A芯片的地址分为行和列地址线。分时使用，所以有（）条。A 14B 16C 8D 10
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考题 单选题在一个单元格引用的行地址或列地址前，若表示为绝对地址则添加的字符是（）A @B #C $D %
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考题 问答题DRAM芯片怎么有行地址又有列地址？
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考题 单选题在Excel 2010中，单元格地址包括所在位置的（）。A 行地址B 列地址C 列和行的地址D 区域地址
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