网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于()。

  • A、满带中
  • B、导带中
  • C、禁带中,但接近满带顶
  • D、禁带中,但接近导带底

参考答案

更多 “p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于()。A、满带中B、导带中C、禁带中,但接近满带顶D、禁带中,但接近导带底” 相关考题
考题 关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加

考题 原子光谱是由哪种跃迁产生的A、原子在能级之间B、基态原子在能级之间C、电子在能级之间D、电子在基态原子的能级之间E、电子在激发态原子的能级之间

考题 在固体的能带理论中,能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽,取决于聚集的原子数目。()

考题 能带是许多原子聚集体中,有许多原子轨道组成的近似连续的能级带。()

考题 费米能级是,在T=0K时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全满,以上能级全空。()

考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。《》( )A.满带中 B.导带中 C.禁带中,但接近满带顶 D.禁带中,但接近导带底

考题 在发射光谱分析中,仪器所测得的谱线是原子()过程中产生的。A、受激发后从高能级返回低能级B、从低能级跃迁至高能级C、分裂D、吸收能量

考题 n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量(),p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量()在价带附近形成掺杂的能级。

考题 一般情况下,P型半导体的费米能级()N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定

考题 原子发射光谱中,主共振线是由()与基态之间的能级跃迁所产生的。

考题 原子发射光谱中,主共振线是由()之间的能级跃迁所产生的。

考题 下列有关电子云和原子轨道的说法正确的是()A、原子核外的电子象云雾一样笼罩在原子核周围,故称电子云B、s能级的原子轨道呈球形,处在该轨道上的电子只能在球壳内运动C、p能级的原子轨道呈纺锤形,随着能层的增加,p能级原子轨道也在增多D、与s电子原子轨道相同,p电子原子轨道的平均半径随能层的增大而增大

考题 在任一多电子原子中,3p能级的能量总是比3s能级能量高。

考题 孤立原子相互靠近时,为什么会发生能级分裂和形成能带?禁带的形成规律是什么?何为材料的能带结构? 

考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

考题 填空题半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。

考题 单选题原子光谱是由哪种跃迁产生的()A 原子在能级之间B 基态原子在能级之间C 电子在能级之间D 电子在基态原子的能级之间E 电子在激发态原子的能级之间

考题 填空题原子发射光谱中,主共振线是由()与基态之间的能级跃迁所产生的。

考题 问答题试叙述原子能级与能带之间的对应关系?

考题 单选题下列有关电子云和原子轨道的说法正确的是()A 原子核外的电子象云雾一样笼罩在原子核周围,故称电子云B s能级的原子轨道呈球形,处在该轨道上的电子只能在球壳内运动C p能级的原子轨道呈纺锤形,随着能层的增加,p能级原子轨道也在增多D 与s电子原子轨道相同,p电子原子轨道的平均半径随能层的增大而增大

考题 问答题什么是施主杂质能级?什么是受主杂质能级?它们有何异同?

考题 单选题半导体中受主能级的位置位于()中。A 禁带B 价带C 导带D 满带

考题 单选题对于P型半导体来说,以下说法正确的是()A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶

考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例,简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近?

考题 问答题举例说明什么是受主杂质,什么是p型半导体?

考题 填空题原子发射光谱中,主共振线是由()之间的能级跃迁所产生的。

考题 单选题当单个原子的核外电子处在某一层轨道上时()A 这个原子的能级就完全确定了B 这个原子的能级形成连续的能带C 这个原子的能级还受电子角动量、自旋的影响D 原子核的自旋对能级没有影响