网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案

更多 “ 在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。() 此题为判断题(对,错)。 ” 相关考题
考题 以下哪种结晶机制能够控制晶体的晶型() A、次级成核B、生长C、初级成核D、以上均可

考题 在冷却结晶中,随着规模的放大,结晶釜制冷能力降低,冷却时间延长,这种情况下,由于过饱和度不高,不会发生成核。() 此题为判断题(对,错)。

考题 整个结晶过程都必须将过饱和度控制在( )内。A.不稳区B.稳定区C.亚稳区D.成核区

考题 19、由超声波发生器产生超声波,通过埋在相变材料中的电极诱发相变材料在接近熔点时成核,从而减小结晶水合盐过冷度的措施称为()A.超声波成核法B.弹性势能法C.冷手指法D.搅拌法

考题 1.过冷度对熔体析晶过程中晶粒数目多少的影响是()A.过冷度控制在成核速率较大处,则晶粒数目越多B.过冷度控制在成核速率较小处,则晶粒数目越多C.过冷度控制在成核速率较大处,则晶粒数目越少D.过冷度控制在晶体生长速率较大处,则晶粒数目越多

考题 11、过饱和曲线的位置主要影响因素有:()A.产生过饱和度的速率B.加晶种的情况C.机械搅拌的速度D.以上因素都是

考题 25、判断 孪晶在变形过程中才会产生,在再结晶后不会出现孪晶

考题 14、影响晶体大小的主要因素是哪些?A.过饱和度B.温度C.搅拌速度D.晶种

考题 在熔体析晶的过程中,为获得尺寸、数量合适的晶粒,需严格控制过冷度,为获得尺寸大而数量少的晶粒,在控制过冷度时,需使析晶温度控制在()。A.晶体生长速率较大而成核速率相对较小处B.成核速率较小且晶体生长速率较小处C.晶体生长速率较小而成核速率较大处D.成核速率较大且晶体生长速率较大处