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贴电阻片处的应变为1000,电阻片的灵敏系数K=2.0,在这个电阻片上应产生对电阻变化率应是下列哪一个?()
A、0.2%
B、0.4%
C、0.1%
D、0.3%
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考题
金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A、金属应变片主要利用压阻效应B、金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C、半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D、半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。
考题
当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致,且试件轴线上受一维应力作用时,应变片灵敏系数K的定义是()。A、应变片电阻相对变化与试件主应力之比B、应变片电阻与试件主应力方向的应变之比C、应变片电阻相对变化与试件主应力方向的应变之比D、应变片电阻相对变化与试件作用力之比
考题
填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
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