在结晶化热处理工艺过程中，不影响铸造陶瓷材料晶体形成数量和性能的因素是A、成核剂B、成核温度C、结晶化温度D、结晶化热处理升温速度E、冷却温度

题目内容（请给出正确答案）

在结晶化热处理工艺过程中，不影响铸造陶瓷材料晶体形成数量和性能的因素是

A、成核剂

B、成核温度

C、结晶化温度

D、结晶化热处理升温速度

E、冷却温度

参考答案

考题晶核的形成有两种情况,一种是均相成核作用,一种是异相成核作用,当均相成核作用大于异相成核作用时,形成的晶核是() A、少B、多C、为晶体晶核D、热水

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考题以下哪种结晶机制能够控制晶体的晶型() A、次级成核B、生长C、初级成核D、以上均可

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考题形成结石的主要因素是() A、尿中晶体过多B、晶体聚合抑制物质减少C、成核基质的存在D、以上都是E、以上均非

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考题形成结石的主要因素是A、尿中晶体过多 B、晶体聚合抑制物质减少 C、成核基质的存在 D、以上都是 E、以上均非

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考题 10、下列因素可以提高结晶速率的是：A．升高温度B．降低温度C．加入增塑剂D．增加分子量E．应力诱导F．加入成核剂

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考题结晶过程是先形成晶核，再生长晶片，因此温度越低越有利于成核，结晶速率会加快。

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考题 5.在成核-生长型相变过程中，微量外加剂或杂质之所会促进晶体生长，原因是（）A．创造了均匀成核的条件B．创造了非均匀成核的条件C．创造了二级相变的条件D．创造了无扩散型相变的条件

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考题 1、在沉淀的形成过程中，主要有形成晶核和晶核成长两个过程。在过饱和溶液中主要的成核方式分别为（）。A．均相成核B．异相成核C．均相成核与异相成核D．不确定

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考题在熔体析晶的过程中，为获得尺寸、数量合适的晶粒，需严格控制过冷度，为获得尺寸大而数量少的晶粒，在控制过冷度时，需使析晶温度控制在（）。A．晶体生长速率较大而成核速率相对较小处B．成核速率较小且晶体生长速率较小处C．晶体生长速率较小而成核速率较大处D．成核速率较大且晶体生长速率较大处

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