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AP经过突触,在突触后膜上产生的电位变化是()
A、AP
B、阈电位
C、发生器电位
D、EPSP
E、IPSP
参考答案
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考题
下列关于化学突触的叙述，错误的是A.突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSPB.突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSPC.细胞外Ca进入末梢轴浆内，触发突触囊泡的出胞D.突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象E.突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
考题
12、抑制性突触后电位是A．由突触前末梢递质释放减少而产生B．使突触后膜电位远离阈电位水平C．由突触后膜Na+电导增加而产生D．由突触后膜Ca2+电导增加而产生E．是一种去极化抑制的突触后电位
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