网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
参考答案
更多 “ 有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少? ” 相关考题
考题
某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?
考题
11、下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是（）A．按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一分别刷新。B．刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。C．刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。D．集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区，异步刷新既可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性。
考题
有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成。读写周期为0.5us。如采用异步刷新方式，假设单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是（）。A．2msB．7.8125usC．15.625usD．31.25us
考题
一个128*128结构的DRAM芯片，每隔2ms要刷新一次，采用异步刷新方式，且刷新是按顺序对所有128行存储元进行内部读操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs，求刷新开销（即刷新操作的时间所占的百分比）A．6.4%B．3.2%C．12.8%D．1.6%
考题
有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？
考题
某机器的主存共32KB，由16片16K x 1位（内部采用128x128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个刷新操作周期A．128B．256C．1024D．16384
考题
有一16K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5ms。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？
考题
48、有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的动态RAM芯片构成（芯片内是64×64结构），问：采用异步方式，如单元刷新间隔不超过2 ms，则刷新信号周期是多少ms？（填数字，小数点后取3位）
考题
某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次，且刷新是通过顺序对所有256行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns，求其刷新的开销（即进行刷新操作的时间所占的百分比）是（）A．3.2%B．6.4%C．12.8%D．25.6%
热门标签
最新试卷