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比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。

A.GTO

B.GTR

C.MOSFET

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考题 比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是A．IGBTB．MOSFETC．GTRD．GTO
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考题 比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A．IGBTB．MOSFETC．GTRD．GTO
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考题 砷在半导体硅中主要作为复合中心，减少载流子寿命，提高器件开关速度
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