考题
双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:()
A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT
考题
绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。()
此题为判断题(对，错)。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
考题
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
考题
普通双极型晶体管是由（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成
考题
常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
考题
双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
考题
GTR是一种（）晶体管．A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
考题
单选题双极型晶体管有（）A
二个pn结B
一个pn结C
三个pn结D
没有pn结
考题
多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有（）A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT
考题
填空题双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。
考题
问答题简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。
考题
多选题常用的电子开关有（）。A继电器B双极型晶体管CMOS场效应晶体管D二极管
考题
问答题为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？
考题
问答题四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？
考题
填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
考题
判断题双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。A
对B
错
考题
判断题绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。A
对B
错
考题
填空题在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结（），CB结反向偏置。
考题
问答题典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题？
考题
问答题为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管（HBT）具有好的性能？