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涡流传感器的线圈与被测金属体的距离减小时,互感系数M将(),等效电阻R将变()。


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考题 使用摇表测量电气设备时,若需测定设备线圈对外壳的绝缘电阻应:A.将地线柱接外壳,火线柱接被测线圈B.将地线柱接线圈,火线柱接被测设备外壳C.将地线柱接船体,火线柱接被测设备外壳D.将地线柱接线圈,火线柱接船体

考题 下列因素中,()不影响电涡流传感器的测量灵敏度。A被测体面积;B传感器线圈面积;C被测体表面有镀层;D被测体与传感器之间的距离。

考题 电涡流传感器测量的被测体必须是()。A铜质导体;B铝质导体;C绝缘体;D金属导体。

考题 涡流传感器的高频线圈等效阻抗与金属板的()、()、()及()等有关。

考题 电涡流传感器探头与被测物体的距离越大,则前置器的输出越小。

考题 简述涡流效应并说出涡流传感器高频线圈的等效阻抗Z的影响因素。

考题 校验电涡流式传感器时,与传感器所对应的被测金属是().A、铜B、铝C、42CrMo4D、合金

考题 将电涡流传感器配以适当的测量电路,可得到()与电压之间的转化特性。A、品质因数B、等效电感C、等效阻抗D、位移

考题 透平机组的BENTLEY振动探头作用原理是传感器产生的电涡流,作用于金属导体后产生交变磁场,这个磁场同时对传感器有反作用,导致探头线圈高频电流的幅度和相位改变,即改变了线圈的()。A、有效阻抗B、有效容抗C、有效感抗D、有效电阻

考题 互感量M(即互感系数)与两线圈的圈数,形状、距离以及线圈中的介质无关。

考题 电涡流效应的大小与被测金属导体的()有关。A、电阻率B、磁导率C、材料厚度D、线圈中激磁电流的频率

考题 被测体的电阻率ρ(),相对导磁率μ(),传感器线圈的激磁频率(),则电涡流的轴向贯穿深度 h 越大。

考题 高频反射式电涡流传感器,其等效阻抗分为等效电阻R和等效电感L两部分,M为互感系数。当线圈与金属板之间距离δ减少时,上述等效参数变化为()A、R减小,L不变,M增大B、R增大,L减小,M增大C、R减小,L增大,M减小D、R增大,L增大,M增大

考题 使用摇表测量电气设备时,若需测定设备线圈对外壳的绝缘电阻应()A、将地线柱接外壳,火线柱接被测线圈B、将地线柱接线圈,火线柱接被测设备外壳C、将地线柱接船体,火线柱接被测设备外壳D、将地线柱接线圈,火线柱接船体

考题 涡流的形成范围和渗透深度与哪些因素有关?被测体对涡流传感器的灵敏度有何影响?

考题 电涡流式传感器的激磁线圈通正弦()时,在其周围产生交变(),使被测金属导体内产生()。它的存在要消弱激磁线圈内()的变化。使线圈()发生变化(对比无被测金属时变())。该变化完全取决于被测金属导体的电涡流效应。而电涡流效应的大小与被测金属导体的电阻率、磁导率及几何形状有关,又与线圈的几何尺寸、线圈中激磁电流的()有关,还与线圈与被测金属导体间的()等参数有关。如果保持上述中的其它参数不变,而只改变其中的一个参数,则传感器的()就仅仅是这个参数的()函数。通过测量线圈电感的变化量,即可实现对该参数的测量。

考题 电涡流效应中,线圈阻抗的变化与()有关。A、线圈和金属板间距离;B、被测物的材料;C、涡流的大小;D、线圈所通电流的大小

考题 利用电涡流式传感器测量位移时,为了得到较好的线性和灵敏度,其激励线圈半径r与被测物体的距离x应该满足()A、r≈xB、rxC、rxD、rx

考题 当高频涡流传感器靠近铁磁物体时()A、线圈的振荡频率增加B、线圈电阻增大C、线圈的电感增大D、线圈的电阻减小

考题 下列因素中,()影响电涡流传感器的测量灵敏度。A、被测体的面积B、传感器线圈面积C、被测体表面有镀层D、被测体与传感器之间的距离

考题 电涡流传感器的探头线圈,与被测导体之间的距离,()。A、很小时,电涡流效应显著,线圈阻抗减小B、很大时,因电涡流减弱,线圈阻抗增大C、超过一定数值后,线圈阻抗趋向一稳定值D、在一定范围内,线圈阻抗呈线性变化

考题 涡流传感器的基本测量参数是位移,电涡流传感器输出信号大小与被测物体与传感器的距离、被测物体的材料性质(导磁性及导电性)有关,与传感器的运行环境无关。

考题 电涡流传感器的灵敏度,与()等因素有关。A、探头线圈线径B、探头线圈尺寸C、被测导体的形状、大小与材料性质D、工作电压

考题 问答题简述涡流效应并说出涡流传感器高频线圈的等效阻抗Z的影响因素。

考题 填空题涡流传感器的高频线圈等效阻抗与金属板的()、()、()及()等有关。

考题 单选题高频反射式电涡流传感器,其等效阻抗分为等效电阻R和等效电感L两部分,M为互感系数。当线圈与金属板之间距离δ减少时,上述等效参数变化为()A R减小,L不变,M增大B R增大,L减小,M增大C R减小,L增大,M减小D R增大,L增大,M增大

考题 填空题涡流传感器的线圈与被测金属体的距离减小时,互感系数M将(),等效电阻R将变()。