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与动态MOS存储器相比,双极性半导体存储器的特点是()

  • A、速度快,功耗小
  • B、集成度高
  • C、速度慢
  • D、容量大

参考答案

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考题 静态随机存储器可以用双极型器件构成,也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比,下面哪一项不是它的特点( )A.工艺较简单B.集成度较低C.存取速度低D.功耗比较大

考题 主存储器由MOS半导体存储器组成。()

考题 和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大

考题 动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,其特点是(4)。A.容量大B.速度快C.需要定期刷新D.价格低

考题 动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,不属于其特点是(23)。A.价格低B.速度快C.容量大D.需要定期刷新

考题 在下面四种半导体存储器中,( )采用的是动态随机存取存储器。A.RDRAMB.Flash. ROMC.EEPROMD.Cache

考题 多媒体中的媒体有两重含义,一是指存储信息的实体;二是指表达与传递信息的载体。( )是存储信息的实体;( )是表达与传递信息的载体。A.文字、图形、图像、声音B.视频、磁带、半导体存储器C.文字、图形、磁带、半导体存储器D.磁盘、光盘、磁带、半导体存储器A.文字、图形、图像、声音B.声卡、磁带、半导体存储器C.文字、图形、磁带、半导体存储器D.磁盘、光盘、磁带、半导体存储器

考题 半导体静态存储器是靠()存储信息,半导体动态存储器是靠()存储信息。

考题 数电半导体存储器分()存储器和()存储器。

考题 与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A、速度快B、集成度高C、功耗大

考题 随机存储器包含()几类。A、双极型B、MOS型C、掩模型D、快闪型

考题 MOS型半导体随机存储器可分为()和()两种,后者在使用过程中每2ms内要刷新一次。

考题 下列关于半导体存储器说法中正确的是()。A、半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型B、半导体存储器都是挥发性的,即只要关机(切断电源),所存储的信息就会全部丢失C、静态存储器,即使不断电,存储单元所存储的信息也会慢慢丢失D、动态存储器需要不断刷新

考题 静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

考题 MOS型半导体随机存储器可分为哪两种?

考题 半导体存储器中,静态的比动态的速度()。A、慢B、快C、相等

考题 动态RAM和静态RAM都是易失性半导体存储器。

考题 半导体静态存储器的特点是只要不断电信息就不会丢失,而半导体动态存储器即使不断电信息也会丢失。

考题 在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是()。A、按位结构方式存储B、按字结构方式存储C、信息在存储介质中移动D、每隔一定时间进行一次刷新

考题 内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为()。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM

考题 问答题请判断下面的叙述中,哪些是正确的? (1)半导体ROM是一种非易失性存储器。 (2)半导体存储器是非永久性存储器,断电时不能保存信息。 (3)同SRAM相比,由于DRAM需要刷新,所以功耗大。 (4)由于DRAM靠电容存储电荷,所以需要定期刷新。 (5)双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高。 (6)目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成,称为FAMOS型EPROM,该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

考题 单选题与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A 速度快B 集成度高C 功耗大

考题 单选题在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是()。A 按位结构方式存储B 按字结构方式存储C 信息在存储介质中移动D 每隔一定时间进行一次刷新

考题 问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

考题 多选题下列关于半导体存储器说法中正确的是()。A半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型B半导体存储器都是挥发性的,即只要关机(切断电源),所存储的信息就会全部丢失C静态存储器,即使不断电,存储单元所存储的信息也会慢慢丢失D动态存储器需要不断刷新

考题 单选题与动态MOS存储器相比,双极性半导体存储器的特点是()A 速度快,功耗小B 集成度高C 速度慢D 容量大

考题 单选题内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为()。A RAMB FLASHC 动态MOS型RAMD EPROM