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电场屏蔽衰减指标大于（）、建筑面积大于50m2的屏蔽室，结构形式宜采用自撑式。

  • A、120dB
  • B、130dB
  • C、140dB
  • D、150dB

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考题 “维规”规定:屏蔽室在使用频率范围内,屏蔽衰耗必须大于(). A.30dbB.50dbC.70db
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考题 下列关于有源屏蔽的描述正确的是A、屏蔽线圈与超导主线圈中电流方向相同B、屏蔽线圈需要使用超导材料制作C、有源屏蔽的重量大于无源屏蔽D、有源屏蔽的屏蔽效能低于自屏蔽E、有源屏蔽线圈不需要浸泡在液氦中
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考题 屏蔽室的接地电阻应不大于()。 A.10B.5C.8D.15
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考题 屏蔽室衰耗应大于()dB. A.60B.65C.70
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考题 电力工程中，当采用计算机控制时，监控系统的信号电缆屏蔽层选择，下列哪项是错误的？ A)开关量信号，可采用外部总屏蔽 B)脉冲信号，宜采用双层式总屏蔽 C)高电平模拟信号，宜采用对绞芯加外部总屏蔽 D)低电平模拟信号，宜采用对绞芯分屏蔽
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考题 建筑面积小于（）、日后需搬迁的电磁屏蔽室，结构形式宜采用可拆卸式。A、50m2B、60m2C、70m2D、80m2
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考题 用于保密目的的电磁屏蔽室不包括：（）A、可拆卸式B、不可拆卸式C、自撑焊接式D、直贴焊接式
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考题 电磁屏蔽室的结构形式和相关的屏蔽件应根据（）选择。A、主机房的性能指标和规模B、总控室的性能指标和规模C、电磁屏蔽室的面积D、电磁屏蔽室的性能指标和规模
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考题 屏蔽室衰耗应大于（）dB.A、60B、65C、70
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考题 屏蔽室的接地电阻应不大于（）。A、10ΩB、5ΩC、8ΩD、15Ω
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考题 电场屏蔽的屏蔽体的结构完整性与其屏蔽效果无直接影响。
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考题 GB50174-2008《电子信息系统机房设计规范》规定：电场屏蔽衰减指标大于60dB的屏蔽室，结构型式宜采用直贴式，屏蔽材料可选择（）。A、镀锌钢板；B、金属丝网；C、屏蔽缆线。
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考题 屏蔽是常用的抗干扰技术，可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和（）屏蔽。
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考题 在综合布线系统中，在屏蔽线缆屏蔽层接地两端，测试链路屏蔽线屏蔽层与两端接地电位差应（）A、不大于4VB、不大于5VC、不大于6VD、不大于7V
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考题 在设备中为防止静电和电场的干扰，防止寄生电容耦合，通常采用（）。A、电屏蔽B、磁屏蔽C、电磁屏蔽D、无线屏蔽
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考题 全塑电缆的屏蔽层应进行全程连通测试，主干电缆屏蔽层电阻平均值不大于2.6Ω/km，配线电缆屏蔽层电阻（绕包除外）不得大于（）。
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考题 明敷设的信号线路与具有强磁场和强电场的电气设备之间的净距离，宜大于1.5m；当采用屏蔽电缆或穿金属保护管以及在线槽内敷设时，宜大于1.8m。
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考题 信号线路当采用屏蔽线缆或穿金属保护管或在金属封闭线槽内敷设时，与具有强磁场、强电场的电气设备之间的净距离，宜大于（）m。A、0.2B、0.5C、0.8D、1.5
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考题 “维规”规定：屏蔽室在使用频率范围内，屏蔽衰耗必须大于（）.A、30dbB、50dbC、70db
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考题 电场屏蔽室抑制噪声源和敏感设备之间由于存在电场耦合而产生的干扰。
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考题 当采用屏蔽电缆或穿金属保护管以及在线槽内敷设时，与具有强磁场和强电场的电气设备之间的净距离应大于（），屏蔽线应单端接地。
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考题 采用中间电位作业时，屏蔽服所起的主要作用是（）。A、屏蔽高压电场、分流高频电流；B、屏蔽电场；C、分流静电感应电击电流；D、与带电部分隔离。
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考题 填空题屏蔽是常用的抗干扰技术，可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和（）屏蔽。
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考题 填空题当采用屏蔽电缆或穿金属保护管以及在线槽内敷设时，与具有强磁场和强电场的电气设备之间的净距离应大于（），屏蔽线应单端接地。
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考题 单选题“维规”规定：屏蔽室在使用频率范围内，屏蔽衰耗必须大于（）.A 30dbB 50dbC 70db
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考题 判断题明敷设的信号线路与具有强磁场和强电场的电气设备之间的净距离，宜大于1.5m；当采用屏蔽电缆或穿金属保护管以及在线槽内敷设时，宜大于1.8m。A 对B 错
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考题 单选题屏蔽室衰耗应大于（）dB.A 60B 65C 70
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