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电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）
- A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小
- B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加
- C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加
- D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加
- E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小
参考答案
更多 “电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小” 相关考题
考题
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确()。A、表面剂量随能量的增加而增加B、从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加C、从dmax得到d80(d85)为治疗区，剂量梯度变化较小D、D80(d85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯E、度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
考题
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确：()。A.从表面到一定深度，剂量分布均匀B.能量高表面剂量低，能量低表面剂量高C.在一定深度之后，剂量下降快D.随能量增加，下降梯度变小E.剂量建成区比较窄并随能量增加而变化
考题
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确？（）A、从表面到一定深度，剂量分布均匀B、能量高表面剂量低，能量低表面剂量高C、在一定深度之后，剂量下降快D、随能量增加，下降梯度变小E、剂量建成区比较窄并随能量增加而变化
考题
高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区
考题
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
考题
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？A、随射线能量增加，表面剂量减少B、随射线能量减小，X射线污染减少C、随射线能量增加，高剂量坪区变宽D、随射线能量减小，剂量梯度增大
考题
高能电子线等剂量线分布的显著特点是（）。A、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化B、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化C、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化D、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化E、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化
考题
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
考题
由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（）。A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时.表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
考题
高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）。A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
考题
单选题关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A
大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B
大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C
大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D
剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E
和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
考题
单选题对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确（）A
表面剂量随能量的增加而增加B
从表面到DmAx为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加C
从DmAx得到D80(D85)为治疗区，剂量梯度变化较小D
D80(D85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯E
度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
考题
单选题当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）。A
PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B
PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C
PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D
PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E
PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
考题
单选题当高能电子柬能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（ ）。A
PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B
PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C
PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D
PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E
PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
考题
单选题电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加（）。A
表面剂量不变，高剂量坪区不变B
表面剂量不变，高剂量坪区变宽C
表面剂量增加，高剂量坪区变窄D
表面剂量增加，高剂量坪区变宽E
表面剂量减小，高剂量坪区变窄
考题
单选题高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域？（ ）A
剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B
表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C
表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D
表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E
剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
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