考题
信噪比的错误概念是：()。A.适当延长TR后使信号增强B.TE愈长，T2信号愈弱SNR越低C.TI增加、SNR也增大D.表面线圈比体线圈SNR高E.场强越高信噪比越低
考题
不能提高MR图像信噪比的是：()。A、提高主磁场的场强。B、增大矩阵。C、增大FOV。D、增加重复采集次数。E、用表面线圈替代体线圈。
考题
假设单一因素改变，下列哪项因素的变化可致使SNR降低()。A.FOV增大B.NEX增加C.主磁场场强升高D.TR延长E.矩阵增大
考题
关于单一因素改变时磁共振SNR的变化，错误的是A．SNR与主磁场强度成正比B．TR延长，SNR升高C．TE延长，SNR降低D．矩阵增大，SNR升高E．FOV增大，SNR降低
考题
假设单一因素改变，下列因素的变化可致使信噪比降低的是A、FOV增大B、NEX增加C、主磁场场强升高D、TR延长E、矩阵增大
考题
以下哪项是提高信噪比的基本措施 ( )
A、提高信号强度和降低噪声程度B、增加信号平均次数C、增大矩阵和减低视野(FOV)大小D、增加磁场强度E、提高信号强度和减低切层厚度
考题
下列哪项措施能消减磁敏感性伪影（）A、做好匀场B、用SE序列取代梯度回波类序列C、增加频率编码梯度场强度D、增加矩阵E、增大FOV
考题
信噪比的错误概念是（）A、适当延长TR后使信号增强B、TE愈长，T2信号愈弱，SNR越低C、TI增加，SNR也增大D、表面线圈比体线圈SNR高E、场强越高信噪比越低
考题
不能提高MR图像信噪比的是（）。A、提高主磁场的场强B、增大矩阵C、增大FOVD、增加重复采集次数E、用表面线圈替代体线圈
考题
假设单一因素改变，下列哪项因素的变化可致使SNR降低（）A、FOV增大B、NEX减小C、主磁场场强升高D、TE延长E、矩阵增大
考题
假设单一因素改变，下列哪项因素的变化可致使信噪比降低（）A、FOV增大B、NEX增加C、主磁场场强升高D、TR延长E、矩阵增大
考题
提高MR图像信噪比的是（）A、提高主磁场的场强B、增大FOVC、降低矩阵D、增加重复采集次数E、用表面线圈代替体线圈
考题
下列选项中，哪项不是影响信噪比的因素（）A、磁场强度B、梯度场强度C、像素大小D、重复时间E、矩阵大小
考题
以下哪项因素不致使直流电动机的机械特性硬度发生变化（）A、电枢回路串电阻B、改变电枢电压C、减弱磁场D、增大励磁电流
考题
单选题假设单一因素改变，下列哪项因素的变化可致使信噪比降低（）。A
FOV增大B
NEX增加C
主磁场场强升高D
TR延长E
矩阵增大
考题
单选题下列选项中，哪项不是影响信噪比的因素？（ ）A
重复时间B
磁场强度C
像素大小D
梯度场强度E
矩阵大小
考题
多选题提高MR图像信噪比的是（）A提高主磁场的场强B增大FOVC降低矩阵D增加重复采集次数E用表面线圈代替体线圈
考题
单选题信噪比的错误概念是（）A
适当延长TR后使信号增强B
TE愈长，T2信号愈弱，SNR越低C
TI增加，SNR也增大D
表面线圈比体线圈SNR高E
场强越高信噪比越低
考题
单选题假设单一因素改变，下列因素的变化可致使信噪比降低的是（ ）。A
TR延长B
FOV增大C
主磁场场强升高D
NEX增加E
矩阵增大
考题
单选题以下哪项是提高信噪比的基本措施（）A
提高信号强度和降低噪声程度B
增加信号平均次数C
增大矩阵和减低视野(FOV)大小D
增加磁场强度E
提高信号强度和减低切层厚度
考题
多选题下列哪项措施能消减磁敏感性伪影（）A做好匀场B用SE序列取代梯度回波类序列C增加频率编码梯度场强度D增加矩阵E增大FOV
考题
单选题假设单一因素改变，下列哪项因素的变化可致使SNR降低（）A
FOV增大B
NEX增加C
主磁场场强升高D
TR延长E
矩阵增大
考题
多选题假设单一因素改变，下列哪项因素的变化可致使SNR降低（）。AFOV增大BNEX减小C主磁场场强升高DTE延长E矩阵增大
考题
单选题不能提高MR图像信噪比的是（）A
提高主磁场的场强。B
增大矩阵。C
增大FOV。D
增加重复采集次数。E
用表面线圈替代体线圈。
考题
单选题不能提高MR图像信噪比的是（）。A
提高主磁场的场强B
增大矩阵C
增大FOVD
增加重复采集次数E
用表面线圈替代体线圈