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对于LTE的多址技术,说法不正确的是()
A.上行DFT-S-OFDM本质上仍是一个高速、具有“低峰均比”的串行数据
B.下行OFDMA可以理解为一个并行数据
C.上行一般采用集中式调制方式
D.以上说法都错
参考答案
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考题
对于CDMA多址技术,下列哪个说法是错误的()。A.采用CDMA多址技术具有较强的抗干扰能力B.采用CDMA多址技术具有较好的保密通信能力C.采用CDMA多址技术具有较灵活的多址连接D.采用CDMA多址技术具有较好的抑制远近效应能力
考题
TD-LTE的关键技术最全面的一项是()
A.TD双工技术、OFDM多址接入技术、扁平化B.TD双工技术、OFDM多址接入技术、MIMO多天线技术C.TD双工技术、OFDM多址接入技术、MIMO多天线技术、扁平化D.OFDM多址接入技术、MIMO多天线技术、扁平化、高速率
考题
对于LTE的多址技术,说法不正确的是()A、上行DFT-S-OFDM本质上仍是一个高速、具有“低峰均比”的串行数据B、下行OFDMA可以理解为一个并行数据C、上行一般采用集中式调制方式D、以上说法都错
考题
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考题
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考题
单选题对于LTE的多址技术,说法不正确的是()A
上行DFT-S-OFDM本质上仍是一个高速、具有“低峰均比”的串行数据B
下行OFDMA可以理解为一个并行数据C
上行一般采用集中式调制方式D
以上说法都错
考题
单选题LTE的上行多址技术是A
单载波频分多址(SC-FDMA)B
OFDMAC
QAMD
8PSK
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