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迅弛技术包括()

A.PENTIUM-M处理器(代号BANIAS)

B.855芯片组系列

C.INTELPRO/WIRELESS2100无线网络连接

D.WI-FI认证


参考答案

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考题 关于弛豫的叙述,正确的是A、先进行纵向弛豫,再开始横向弛豫B、先开始横向弛豫,再进行纵向弛豫C、纵向弛豫与横向弛豫是同时发生的D、纵向弛豫是一个从零状态恢复到最大值的过程E、横向弛豫是一个从最大值恢复至零状态的过程

考题 长途电话在连续方式上的分类不包括以下( )。A:立接制B:迅接制C:拒绝制D:迟缓制E:漫游制

考题 关于横向弛豫的叙述,错误的是:()。A.横向弛豫即T2弛豫B.横向弛豫也称自旋-自旋弛豫C.静磁场的不均匀性会影响横向弛豫D.横向弛豫过程中,不存在能量从氢核向晶格转移E.横向弛豫过程中,能量向周围的环境转移

考题 关于横向弛豫的叙述,错误的是()A、横向弛豫即T2弛豫B、横向弛豫也称自旋-自旋弛豫C、静磁场的不均匀性会影响横向弛豫D、横向弛豫过程中,不存在能量从氢核向晶格转移E、横向弛豫过程中,能量向周围的环境转移

考题 关于纵向弛豫的叙述,错误的是()A、纵向弛豫即T1弛豫B、纵向弛豫又称自旋一晶格弛豫C、外界静磁场的不均匀性会引起纵向弛豫D、纵向弛豫过程是由于原子核系与其周围的晶格相互作用交换能量所致E、纵向弛豫过程中,能量向周围的环境转移

考题 作为Intel移动计算技术的迅驰,其构成哪些是必需的()A、Intel指定芯片组B、Intel指定CPUC、Intel无线网卡D、Intel迅盘

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考题 在“故先补完胃气之伤,而后去其积,则一旦霍然矣”中,“一旦霍然”之义为()A、忽然迅快病愈了B、终于迅快痊愈了C、一天病就消散了D、终于迅快消散了

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考题 横向弛豫是指()A、T弛豫B、自旋-自旋弛豫C、自旋-晶格弛豫D、氢质子顺磁场方向排列E、氢质子逆磁场方向排列

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考题 纵向弛豫是指()A、T弛豫B、自旋-自旋弛豫C、自旋-晶格弛豫D、氢质子顺磁场方向排列E、氢质子逆磁场方向排列

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考题 单选题关于横向弛豫的叙述,错误的是()A 横向弛豫即T2弛豫B 横向弛豫也称自旋-自旋弛豫C 静磁场的不均匀性会影响横向弛豫D 横向弛豫过程中,不存在能量从氢核向晶格转移E 横向弛豫过程中,能量向周围的环境转移

考题 单选题关于弛豫的描述,错误的是(  )。A 外加磁场消失后,组织恢复至发生磁共振前的平衡状态,此变化过程即为弛豫过程B 弛豫过程分纵向弛豫和横向弛豫C 弛豫过程是能量变化的过程D 横向弛豫和纵向弛豫同时发生E 横向弛豫在先,纵向弛豫在后

考题 单选题在“故先补完胃气之伤,而后去其积,则一旦霍然矣”中,“一旦霍然”之义为()A 忽然迅快病愈了B 终于迅快痊愈了C 一天病就消散了D 终于迅快消散了

考题 单选题关于弛豫,叙述错误的是()。A 弛豫过程分为纵向弛豫与横向弛豫B 纵向弛豫与横向弛豫同时发生C 横向弛豫是伴随能量变化的过程D 纵向弛豫是伴随能量变化的过程E 外加磁场消失后,组织恢复至发生磁共振前的平衡状态,此变化过程即为弛豫过程

考题 单选题关于弛豫的叙述,正确的是(  )。A 纵向弛豫表示Z轴磁场的恢复B Z轴磁场的下降称为纵向弛豫C XY平面磁场的下降称为纵向弛豫D XY平面磁场的增加称为纵向弛豫E 纵向弛豫就是Tl值

考题 多选题长途电话在连续方式上的分类不包括以下( )。A立接制B迅接制C拒绝制D迟缓制E漫游制

考题 多选题关于弛豫的叙述,正确的是(  )。A先进行纵向弛豫,再开始横向弛豫B先开始横向弛豫,再进行纵向弛豫C纵向弛豫与横向弛豫是同时发生的D纵向弛豫是一个从零状态恢复到最大值的过程E横向弛豫是一个从最大值恢复至零状态的过程

考题 多选题迅弛技术包括()APENTIUM-M处理器(代号BANIAS)B855芯片组系列CINTELPRO/WIRELESS2100无线网络连接DWI-FI认证