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内半径为a，外半径为b的单芯同轴电缆，载流为I，在ρ＜a的区域中，磁场强度H为( )A/m。
参考答案
参考解析
解析：解根据安培环路定律，得
。由于在p＜a的区域中所包含的电流为0，因此磁场强度H也为0。
答案:C
。由于在p＜a的区域中所包含的电流为0，因此磁场强度H也为0。
答案:C
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考题
室外消火栓的保护半径：_____A.低压消火栓的保护半径为180m；高压消火栓的保护半径为120m；B.低压消火栓的保护半径为160m：高压消火栓的保护半径为lOOm；C.低压消火栓的保护半径为150m；高压消火栓的保护半径为lOOm；D.低压消火栓的保护半径为120m；高压消火栓的保护半径为60m。
考题
内半径为a，外半径为b的导电管，中间填充空气，流过直流电流I，在ρ＞a的区域中，磁场强度H为（ ）A/m。
A． I/（2πρ）
B． μ0I/（2πρ）
C． 0
D． [I（ρ^2－a^2）]/[2πρ（b^2－a^2）]
考题
半径为a的长直导线通有电流I，周围是磁导率为μ的均匀媒质，r＞a的媒质磁场强度大小为（ ）。
A． I/（2πr）
B． μI/（2πr）
C． μI/（2πr2）
D． μI/（πr）
考题
应用安培环路定律φHdl=∑I，对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知（）A、在其外部，即rR处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B、rR处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C、rR处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D、在其内部，即r
考题
通道口防护中，应在通道上方设置防护棚，建筑高度h与坠落半径R的关系不正确的是( )。A、h=2～5m时，坠落半径R为2mB、h=5～15m时，坠落半径R为3mC、h=15～30m时，坠落半径R为3mD、h＞30m时，坠落半径R为5m以上
考题
一同轴电缆长1=2m，其芯线导体半径r1=1cm，铅皮外壳内半径r2=6cm，导体间绝缘材料的电阻率ρ=1×109Ω*m，当内导体与外壳间电压U0为500V时，绝缘层中漏电流为（）。A、8.86mAB、7.02μAC、3.51μAD、1.76mA
考题
01区外水平距离半径为3m，垂直上方3m，水平距离半径为7．5m，地坪上高度为3m以及1区外水平距离半径为22．5m，地坪上高度为0．6m的范围内划为（）区。A、0B、1C、2D、附加2
考题
单选题应用安培环路定律φHdl=∑I，对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知（）A
在其外部，即rR处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B
rR处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C
rR处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D
在其内部，即r
考题
单选题应用安培环路定律∮LHdL=∑I，半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出（）。A
在其外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B
r＞R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C
r＞R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D
在其内部，即r＜R处的磁场强度与r成反比
考题
单选题通风良好且布置在地面的丙烯压缩机厂房，对该厂房内不同爆炸危险区域的划分，以下哪个不符合规范（）？（注：丙烯的密度是空气的1.45倍）A
管沟内为1区B
以释放源为中心，半径为15m，地坪上的高度为7.5m及半径为7.5m，顶部与释放源的距离为7.5m的范围内划为2区C
以释放源为中心，总半径为30m，地坪上高度为0.6m，目在2区以外的范围内划为附加2区D
以释放源为中心，半径为7.5m，地坪上高度为7.5m的范围内划为1区
考题
单选题室外消火栓的保护半径：（）A
低压消火栓的保护半径为180m；高压消火栓的保护半径为120m；B
低压消火栓的保护半径为160m：高压消火栓的保护半径为100m；C
低压消火栓的保护半径为150m；高压消火栓的保护半径为100m；D
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考题
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7.02μAC
3.51μAD
1.76mA
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h=5～15m时，坠落半径R为3mC
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h＞30m时，坠落半径R为5m以上
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