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关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的
A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
参考答案
参考解析
解析:抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位,对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用,使该神经元不容易产生动作电位。
更多 “关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化 B.Ca由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高 E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动” 相关考题
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考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A、突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A
突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C
突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D
突触后膜出现超极化电位
考题
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考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?( )A
突触前轴突末梢去极化B
Ca2+由膜外进入突触前膜内C
突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D
突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E
突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题系统设计是在系统分析的基础上由抽象到具体的过程,以下关于系统设计的依据描述中,哪一项不正确()A
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