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当溶质浓度达到过饱和状态时，加入晶种将会促其结晶。

参考答案和解析
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更多 “当溶质浓度达到过饱和状态时，加入晶种将会促其结晶。” 相关考题
考题 关于过饱和现象,以下说法正确的是() A、由于过饱和超出了溶解度，不可能长期稳定存在B、药物浓度达到过饱和，药物定会成核结晶析出C、过饱和现象有可能维持很长时间D、过饱和只是一种假设情况
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考题 甜炼乳冷却结晶过程于强制结晶的最适温度时投入乳糖晶种,晶种为(),其颗粒小于()μm,才能达到乳糖晶体多而细的目的。
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考题 溶液中溶质的浓度已经超过饱和溶解度而并不从溶液中结晶析出的现象称为?A.过饱和现象B.饱和现象C.未饱和现象
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考题 当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。 A.晶种B.晶核C.晶体D.晶浆
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考题 在分批冷却结晶操作中，使“溶液慢慢达到过饱和状态，产生较多晶核”的操作方式是（）A、不加晶种，迅速冷却B、不加晶种，缓慢冷却C、加晶种，迅速冷却D、加晶种而缓慢冷却
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考题 采用降温或浓缩的方法使溶液达到过饱和状态析出溶质，此操作称为（）。A、熔融结晶B、升华结晶C、溶液结晶D、盐析
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考题 浓度恰好等于溶质的溶解度，即达到固、液相平衡时的溶液称为（）。溶液含有超过饱和量的溶质，则称为（）。同一温度下，过饱和溶液与饱和溶液的浓度差称为（）。
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考题 结晶操作中，应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。
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考题 熔池在结晶过程中，晶粒的晶界的溶质浓度与晶内的溶质浓度相比（）。A、相同B、高C、低D、可高可低
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考题 在结晶操作中，下列措施有利于晶体颗粒大而少的产品的是（）。A、增大过饱和度B、迅速降温C、强烈搅拌D、加入少量晶种
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考题 当通过（）移去溶液时，蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高，必须补充含颗粒的晶浆，使升高的过饱和度尽快消失。A、升华B、汽化C、液化D、加热
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考题 加晶种法使溶液结晶，加入的晶种一定是溶质本身。
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考题 结晶操作中当一定物质在一定溶剂中的溶解质主要随（）变化。A、溶质浓度B、操作压强C、操作温度D、过饱和度
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考题 当通过汽化移去溶液时，蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高，必须补充含颗粒的（），使升高的过饱和度尽快消失。A、晶种B、晶核C、晶体D、晶浆
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考题 关于溶质饱和度，下列说法正确的是（）A、在某一温度下，饱和度是恒定的B、当溶质浓度超过饱和度时，立即析出晶体C、在相同条件下，溶质晶体的半径越小，饱和浓度越大D、饱和度随温度升高而显著增大
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考题 根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
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考题 关于溶质的过饱和度，下列说法正确的是（）。A、是指溶质过饱和溶液的浓度B、是指溶质过饱和溶液的浓度与饱和溶液的浓度之比C、过饱和溶液可维持在一定的过饱和度范围内无晶体析出D、当过饱和度超过某一特定值时，过饱和溶液中就会自发形成大量晶核
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 要使溶质从溶液中结晶出来，须首先使溶液成为（）状态，也即必须设法产生一定的过饱和度作为推动力。
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考题 填空题甜炼乳冷却结晶过程于强制结晶的最适温度时投入乳糖晶种，晶种为（），其颗粒小于（）μm，才能达到乳糖晶体多而细的目的。
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考题 判断题溶质结晶过程中，只有过饱和度形成时才能发生结晶。A 对B 错
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考题 填空题在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
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考题 单选题下列不利于生产大颗粒结晶产品的是（）A 过饱和度小B 冷却速率慢C 加大搅拌强度D 加入少量晶种
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考题 多选题根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
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考题 单选题在冷却结晶中，为了维持结晶过程中的过饱和度，主要要控制（）A 药物溶解度B 结晶时间C 晶种粒径D 降温速率
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考题 填空题结晶方法包括（）、（）和加入第三种物质改变溶质溶解度结晶法。
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考题 判断题在结晶过程中，只要溶液的浓度达到过饱和浓度就能产生晶核，开始结晶。A 对B 错
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