考题
小角度晶界晶粒的位向差是()。
A、>10~15°B、C、15°D、10°
考题
再结晶形成的新晶粒在晶格类型上同原来晶粒是不同的。此题为判断题(对，错)。
考题
钢坯过烧的主要特征是( )。A.晶界氧化B.晶内低熔点质点熔化C.晶粒粗大D.晶界形成网状组织
考题
c-Si是由（）组成的。A、结晶粒相B、结晶粒相界C、非晶相D、微晶相
考题
（）是通过新的可移动的大角度晶界的形成及随后的移动从而形成无应变的晶粒组织过程。A、再结晶B、回复退火C、中温回火D、等温淬火
考题
再结晶形成的新晶粒在晶格类型上同原来晶粒是不同的。（）
考题
下列属于亚结构的是（）。A、晶粒B、晶格C、亚晶粒D、亚晶界
考题
（）夹杂物多沿初生晶粒的晶界分布，按照夹杂物对晶界润湿情况的不同，或呈颗粒状如FeO，或呈薄膜状如FeS。A、较早形成的B、较晚形成的C、外生
考题
晶粒间交界的地方称为（）。A、晶粒B、晶界C、晶格D、晶体
考题
变形金属再加热时发生的再结晶过程是一个新晶粒代替旧晶粒的过程，这种新晶粒的晶型是（）。A、与变形前的金属相同B、与变形后的金属相同C、形成新的晶型
考题
再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。A、曲率中心B、曲率中心相反C、曲率中心垂直
考题
由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A、大角度晶界和孪晶界B、相界面C、外表面
考题
金属的晶界是面缺陷。晶粒愈细，晶界愈多，金属的性能愈差。
考题
开始发生再结晶的标志是（）A、产生多变化B、新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织C、晶粒尺寸显著增大
考题
晶粒之间的界面称为（）。A、亚晶界B、晶界C、曲面D、小角度晶界
考题
下列关于晶粒、晶界和亚晶界的说法中错误的是（）A、晶粒越细小，晶界就越多B、晶粒越细小，金属的强度越高C、晶界越多，金属的强度和硬度就越低D、亚晶界越多，强度就越高
考题
多选题多晶陶瓷破晶界的特点（）A强度比晶粒低得多B沿晶界破坏C晶粒晶界长强度高D起始裂纹长度与晶粒晶界相当
考题
判断题再结晶晶粒长大的驱动力是来自晶界移动后体系总的自由能的降低。A
对B
错
考题
单选题再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。A
曲率中心B
曲率中心相反C
曲率中心垂直
考题
单选题开始发生再结晶的标志是（）A
产生多变化B
新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织C
晶粒尺寸显著增大
考题
单选题二次再结晶是指（）A
少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程B
多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程C
晶粒不断成核长大的过程D
少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
考题
单选题变形金属再加热时发生的再结晶过程是一个新晶粒代替旧晶粒的过程，这种新晶粒的晶型是（）。A
与变形前的金属相同B
与变形后的金属相同C
形成新的晶型
考题
多选题c-Si是由（）组成的。A结晶粒相B结晶粒相界C非晶相D微晶相
考题
单选题晶粒之间的界面称为（）。A
亚晶界B
晶界C
曲面D
小角度晶界
考题
单选题由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A
大角度晶界和孪晶界B
相界面C
外表面
考题
单选题纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在（）位置首先发生再结晶形核。A
小角度晶界B
孪晶界C
外表面