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根据半导体存储器中记忆单元结构的不同，分为（）和DRAM两种随机访问存储器，前者用于实现DRAM芯片中的行缓存（row buffer）。
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BC
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考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
考题
下列关于存储器的描述，正确的有A．CPU访存时间由存储器容量决定 B．ROM和RAM在存储器中是统一编址的C．ROM中任一单元不可以随机访问 D．DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写
考题
PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，正确的是( )。A．SRAM和DRAM都是RAM，芯片掉电后，存放在SRAM和DRAM芯片中的内容都会丢失B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般也会丢失C．由于SRAM的速度比DRAM的慢，因此，在PC中，DRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由SRAM组成D．ROM和SRAM及DRAM都是半导体存储器，因此，现常用ROM代替RAM来存放原来存放在CMOS RAM中的信息
考题
以下有关硬盘的缓冲存储器的叙述，其中错误的是A．它由动态随机存取存储器(DRAM)实现B．缓冲存储器可提高磁盘访问速度，增加硬盘容量C．读数据时先从缓冲存储器读，不存在时才访问磁盘D．写数据时先写入缓冲存储器，然后再由缓存写到磁盘
考题
以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（ ）。A.SRAM的内容是不变的，DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的，DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的，但DRAM的内容需要定期刷新
考题
下列关于DRAM的叙述，正确的是A.DRAM是一种随机存储器B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失D.DRAM是一种半导体存储器E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配
考题
下面关于DRAM存储器描述错误的是（）A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
考题
下面是主存储器和CAChe的比较，正确的有（）A、微机主存储器多数采用半导体动态存储器（DRAM），CAChe采用半导体静态存储器（SRAM）。这两种存储器中的信息均不能长期保留B、CPU访问主存储器的速度快于访问CAChe的速度C、在配有CAChe的计算机中，CPU每次访问存储器都首先访问CAChe，若欲访问的数据在CAChe中，则访问结束，否则，再访问主存储器，并把有关数据取人CACheD、CAChe容量一般都小于主存储器
考题
以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新
考题
多选题下面是主存储器和CAChe的比较，正确的有（）A微机主存储器多数采用半导体动态存储器（DRAM），CAChe采用半导体静态存储器（SRAM）。这两种存储器中的信息均不能长期保留BCPU访问主存储器的速度快于访问CAChe的速度C在配有CAChe的计算机中，CPU每次访问存储器都首先访问CAChe，若欲访问的数据在CAChe中，则访问结束，否则，再访问主存储器，并把有关数据取人CACheDCAChe容量一般都小于主存储器
考题
问答题在半导体存储器件中，什么是SRAM、DRAM和NVRAM？
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