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硅热氧化生成氧化层，是硅扩散到氧化层表面与氧反应还是氧扩散到硅与氧化层界面反应？为什么？

参考答案和解析
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考题 硅的氧化是放热反应，高温有利于硅的氧化。此题为判断题(对，错)。
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考题 硅的氧化反应是（）反应，低温有利于硅的氧化。
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考题 氧化是指钢在氧化介质中加热时，氧原子与（）发生化学反应的现象。A、碳原子B、铁原子C、硫原子D、硅原子
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考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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考题 当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。A、温度B、硅-二氧化硅界面处的化学反应C、氧的扩散速率D、压力
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考题 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
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考题 在渣铁贮存区，渣—铁间的反应主要是（）的耦合反应。A、脱磷和硅氧化B、脱硫和硅氧化C、脱硫和磷氧化D、脱磷和硫氧化
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考题 硅的氧化反应全部在炉气与（）、炉渣与（）上进行。
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考题 硅的氧化是强烈的放热反应，因此，温度低对硅的氧化不利。
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考题 硅锰氧化反应是放热反应。
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考题 由于硅的氧化为强烈的放热反应，故温度低有利于硅的氧化。
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考题 硅的氧化反应是放热反应，高温有利于硅的氧化。
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考题 在氧化前期（）氧化，且氧化反应更为完全、彻底。A、锰比硅早B、硅与锰同时C、硅比锰早
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考题 炉缸中存在着硅氧化的耦合反应。硅在氧化时，是在炉缸贮存的渣铁界面上发生的。
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考题 硅的氧化是放热反应，高温有利于硅的氧化。（）
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考题 硅的氧化是炼钢的重要反应之一，硅氧化为放热反应，因此，（）有利于硅的氧化。
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考题 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A、单晶硅B、多晶硅C、硅化金属D、二氧化硅E、氮化硅
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考题 含硅表面活性剂可由（）与（）反应，再与（）反应生成硅氧烷甜菜碱。
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考题 扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
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考题 康德面是硅铝层与硅镁层的分界面。
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考题 填空题单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si3N4作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）
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考题 判断题康德面是硅铝层与硅镁层的分界面。A 对B 错
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考题 填空题含硅表面活性剂可由（）与（）反应，再与（）反应生成硅氧烷甜菜碱。
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考题 判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A 对B 错
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考题 问答题什么叫硅的热氧化？有哪几种热氧化技术？
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考题 问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。
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