考题
导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。
A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
考题
二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。
A、击穿电压B、死区C、饱和D、夹断电压
考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
考题
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
考题
二极管两端加上正向电压时超过()电压才能导通。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。A.0.2
B.0.4
C.0.5
D.0.7
考题
当二极管处在正向电压作用下，管子两端正偏压很小（约1V左右）时便开始导通
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
考题
当二极管两端正向偏置电压大于（）电压时，二极管才能导通。A、击穿；B、饱和；C、门槛。
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
考题
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
考题
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压