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3、光密介质中的合成场为（）。

A．横电场

B．横磁场

C．纵磁场

D．纵电场

参考答案和解析
横电场
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考题 光密介质中的合成场为()。 A、纵电场B、横磁场C、纵磁场D、横电场
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考题 光从光疏介质进入光密介质必然是折射角（）入射角。
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考题 光产生全反射的条件（）A、光线从光密介质入射到光疏介质B、光线从光疏介质入射到光密介质C、光线入射角大于临界角D、光线入射角小于临界角
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考题 玻璃是光密介质。
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考题 按晶体场理论，Co3+作为中心离子形成配合物时，在八面体弱场中，未成对电子数为（）个，d电子的分布为（）；在八面体强场中，理论磁矩是（），d电子的分布为（）；CFSE（）Dq。
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考题 肝脏是合成白蛋白的唯一场所。
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考题 计算题：设合成气组成中H2为68%；CO为27%；CO2为3%；则合成气的氢碳比是多少？
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考题 光线从光密介质进入光疏介质时，折射角一定小于入射角。
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考题 光线从光密介质入射到光疏介质中时可能会发生全反射。
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考题 光在其中传播速度快的，称为光密介质。
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考题 光线在两种不同介质的分界面上产生全反射的临界角为ic，当入射角为I，产生全反射的条件为光线从光密介质向光疏介质入射，且（）
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考题 若光从光密介质向光疏介质入射，则全反射的临界角（）布儒斯特角（填大于或小于）
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考题 物理学上，发生全反射的条件是（）。A、入射角足够小B、入射角足够大C、光从光密介质入射到光疏介质D、光从光疏介质入射到光密介质
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考题 光束从光疏介质进入光密介质时，可发生全（）。
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考题 CVOR的最终合成场型，在水平面上为（）。A、旋转的园型辐射场型B、旋转的心型辐射场型C、旋转的8字型辐射场型
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考题 填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
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