考题
MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。
A、基极B、源极C、发射极D、阻板
考题
电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
MOSFET功率管的热稳定性好,但是抗干扰能力差。()
此题为判断题(对，错)。
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
考题
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
考题
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
考题
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
考题
艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的是（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFET
考题
MOSFET功率管的热稳定性好，但是抗干扰能力差。
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。
考题
功率MOSFET是（）型器件。A、全控B、半控
考题
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A
对B
错
考题
问答题功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
考题
填空题与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
考题
填空题功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。