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1、细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。


参考答案和解析
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更多 “1、细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。” 相关考题
考题 实际金属中位错密度越大、晶界和亚晶界越多,其强度越高。()

考题 金属通过热处理细化晶粒,使晶界上杂质浓度减少,可避免产生脆性断裂。() 此题为判断题(对,错)。

考题 晶粒越细,晶界、亚晶界越多,金属材料的强度越低。() 此题为判断题(对,错)。

考题 钢坯过烧的主要特征是( )。A.晶界氧化B.晶内低熔点质点熔化C.晶粒粗大D.晶界形成网状组织

考题 c-Si是由()组成的。A、结晶粒相B、结晶粒相界C、非晶相D、微晶相

考题 晶界的能量较高,原子处于不稳定状态,所以()。A、晶界上原子扩散速度快,拉弯首先在晶界行核B、晶界上比晶粒内部强度、硬度低C、晶界上不易聚集杂质原子D、晶界腐蚀速度慢

考题 什么叫晶粒、晶界?

考题 坯料过烧的表现是()。A、晶界熔化B、晶界氧化C、晶粒间结合力减弱D、产生内裂纹

考题 晶粒与晶粒的接触处叫晶界。

考题 因为金属在晶界上原子排列的规律性较差,处在晶界上的原子具有较高的自由能,所以晶界处较易浸蚀而呈沟壑。各晶粒之间也由于晶粒取向不同,溶解速度有差别,而造成颜色反差。()

考题 由于焊接高温过程中,奥氏体晶界上的低熔共晶被重新熔化,金属的塑性和强度急剧下降,同时在拉伸应力作用下沿奥氏体晶界开裂,而形成液化裂纹。

考题 关于晶界说法不正确的是()。A、晶界的熔点比一般比晶粒低B、晶界上有较多杂质C、晶界上不可出现空位D、晶界上有许多电子俘获中心

考题 晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大,而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。

考题 再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着()方向移动。A、曲率中心B、曲率中心相反C、曲率中心垂直

考题 金属的晶界是面缺陷。晶粒愈细,晶界愈多,金属的性能愈差。

考题 实际晶体强度远远低于理论强度的原因,是由于实际晶体中存在大量的()A、晶界B、亚晶界C、空位D、位错

考题 晶粒之间的界面称为()。A、亚晶界B、晶界C、曲面D、小角度晶界

考题 下列关于晶粒、晶界和亚晶界的说法中错误的是()A、晶粒越细小,晶界就越多B、晶粒越细小,金属的强度越高C、晶界越多,金属的强度和硬度就越低D、亚晶界越多,强度就越高

考题 判断题小角度晶界的晶界能比大角度晶界的晶界能高。A 对B 错

考题 问答题晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗?

考题 单选题在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。A 低于B 高于C 等于D 不确定

考题 判断题晶界处原子排列不规则,因此对金属的塑性变形起着阻碍作用,晶界越多,其作用越明显。显然,晶粒越细,晶界总面积就越小,金属的强度和硬度也就越低。A 对B 错

考题 多选题多晶陶瓷破晶界的特点()A强度比晶粒低得多B沿晶界破坏C晶粒晶界长强度高D起始裂纹长度与晶粒晶界相当

考题 单选题再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着()方向移动。A 曲率中心B 曲率中心相反C 曲率中心垂直

考题 单选题实际晶体强度远远低于理论强度的原因,是由于实际晶体中存在大量的()A 晶界B 亚晶界C 空位D 位错

考题 判断题晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大,而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。A 对B 错

考题 单选题晶粒之间的界面称为()。A 亚晶界B 晶界C 曲面D 小角度晶界

考题 填空题脆性断裂是由解理断裂或许多晶粒沿晶界断裂而产生的有()断口的断裂。