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6、用16K×4的SRAM构成64KB的存储器，共需要8片。
参考答案和解析
正确
更多 “6、用16K×4的SRAM构成64KB的存储器，共需要8片。” 相关考题
考题
下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
考题
●内存按字节编址，地址从A4000H到CBFFFH，共有 (1) B。若用存储容量为16K× 8bit的存储器芯片构成该内存，至少需要 (2) 片。(1) A．80KB．96KC．160KD．192K(2) A．2B．6C．8D．10
考题
某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?
考题
某计算机内存按字节编址，内存地址区域从44000H到6BFFFH，共有(11)K字节。若采用16K×4bit的SRAM芯片，构成该内存区域共需(12)片。A．128B．160C．180D．220
考题
某计算机内存按字节编址，内存地址区域从44000H到6BFFFH，共有(1)K，若采用16K×4bit的SRAM芯片，构成该内存区域共需(2)片。A．128B．160C．180D．220
考题
某计算机内存按字节编址，内存地址区域从44000H到6BFFFH，共有（ ）K字节。若采用16K×4bit的SRAM芯片，构成该内存区域共需（请作答此空）片。A.128
B.160
C.180
D.220
考题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
考题
在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路，SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从04000H开始，译码器电路采用74LS138。计算此RAM存储区域的最高地址是多少？
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
考题
问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
考题
问答题用8KB×8的EPROM和SRAM芯片扩展16KB容量的程序存储器和数据存储器，问各需要几块
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