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2、下列有关技术磁化过程机制的描述,错误的是()。
A.畴壁的迁移通过磁矩方向改变实现
B.磁畴旋转的结果使Ms稳定在原磁化方向和磁场方向间总能量最小的角度上
C.缺陷和杂质等是技术磁化过程的阻力之一
D.畴壁从杂质脱离,引起退磁能降低
参考答案和解析
畴壁位移的磁化过程;磁畴转动的磁化过程;顺磁磁化过程
更多 “2、下列有关技术磁化过程机制的描述,错误的是()。A.畴壁的迁移通过磁矩方向改变实现B.磁畴旋转的结果使Ms稳定在原磁化方向和磁场方向间总能量最小的角度上C.缺陷和杂质等是技术磁化过程的阻力之一D.畴壁从杂质脱离,引起退磁能降低” 相关考题
考题
下列有关磁化率伪影及金属伪影的描述,错误的是()。A.某物质的磁化率是指该物质进入外磁场后的磁化强度与外磁场强度的比率B.一般顺磁性物质的磁化率很低,铁磁性物质的磁化率很高C.在两种磁化率差别较大的组织界面上,将出现伪影D.体内金属物质特别是铁磁性物质并不产生严重的磁化率伪影E.梯度回波序列比自身定(可能应该是“自旋”)回波序列更易产生磁化率伪影
考题
单选题有关横向弛豫的描述,错误的是()A
也称自旋-自旋弛豫。B
伴随有能量的释放。C
与T2值有关。D
其直接原因是质子失相位。E
横向磁化矢量由大变小。
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