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44、晶体受力时,位错发生运动,最终移至晶体表面而产生宏观变形,因此,变形后晶体中中的位错数目应越来越少。


参考答案和解析
更多 “44、晶体受力时,位错发生运动,最终移至晶体表面而产生宏观变形,因此,变形后晶体中中的位错数目应越来越少。” 相关考题
考题 多晶体的塑性变形主要是以位错方式进行的并且是不均匀的。() 此题为判断题(对,错)。

考题 位错运动后晶体不发生体积变化,这类运动称为()。

考题 在某些晶体的极化方向(受力能产生电荷的方向)施加外电场,晶体本身将产生机械变形,当外电场撤去后,变形也随之消失,这种物理现象称______ 。

考题 压电效应具有以下特点()。 A.晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比B.当某些材料在沿一定方向受到压力或拉力作用而发生变形时,其表面上会产生电荷C.若将外力去掉时,它们又重新回到不带电的状态D.如对晶体施加一负变电场,晶体本身将产生机械变形,这种现象称为逆压电效应

考题 金属单晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B

考题 单晶体的变形方式有()A、滑移B、孪生C、位错D、位移

考题 以下说法正确的是()。A、晶体散光是由晶体表面为环曲面形状而引起B、晶体散光是由于晶体倾斜引起C、晶体散光可以由晶体表面为环曲面形状而引起,也可以由晶体倾斜引起D、晶体散光通常与角膜散光轴位一致

考题 晶体发生弹性形变时,应变和应力成()关系,去掉外力后,应变完全消失,晶体回到未变形状态。

考题 与单金属晶体相比,影响实际金属晶体塑性变形的因素是()。 A、晶界B、晶粒位向C、晶粒度D、其余三项

考题 多晶体的塑性变形主要是以位错方式进行的,并且是不均匀的。

考题 金属的塑性变形是通过晶体的()运动来实现的。A、位错B、位移C、迁移D、定向

考题 试述在晶体中插入柱状半原子面时能否形成位错环?

考题 位错运动方向处处垂直于位错线,在运动中是可变的,晶体做相对滑动的方向()A、随位错线运动方向而改变B、始终是柏氏矢量方向C、始终是外力的方向D、垂直于柏氏矢量方向

考题 简述晶体中产生位错的主要来源。

考题 属于晶体缺陷中面缺陷的是()A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错

考题 晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。()

考题 在某些晶体的极化方向施加外电场,晶体本身将产生机械变形,当外电场撤去后,变形也随之消失,这种物理现象称()效应。

考题 多晶体中晶粒取向对晶体塑性变形有何影响?

考题 晶体振荡器即用某些晶体(石英晶体)受力后表面产生电荷的压电效应,测量()反映压力高低.A、频率B、电阻C、电流D、电量

考题 ()是晶体的一部分沿着一定的晶面和晶向相对于另一部分作相对的滑动,是晶体发生塑性变形的主要方式。A、攀移B、滑移C、位错D、剪切

考题 单选题以下说法正确的是()。A 晶体散光是由晶体表面为环曲面形状而引起B 晶体散光是由于晶体倾斜引起C 晶体散光可以由晶体表面为环曲面形状而引起,也可以由晶体倾斜引起D 晶体散光通常与角膜散光轴位一致

考题 填空题在某些晶体的极化方向施加外电场,晶体本身将产生机械变形,当外电场撤去后,变形也随之消失,这种物理现象称()效应。

考题 判断题位错线只能终止在晶体表面或界面上,而不能中止于晶体内部。A 对B 错

考题 问答题简述晶体中产生位错的主要来源。

考题 单选题晶体缺陷是()。A 晶体中出现的各种不规则的原子排列现象B 晶体外形的不规则现象C 晶体产生的裂纹D 晶体产生的变形

考题 单选题某些晶体受到外力作用而发生机械变形时,在晶体的不同表面会产生符号相反的电荷,这种现象称被称为()。A 压阻效应B 压电效应C 霍尔效应D 磁阻效应

考题 单选题液体总是力图形成球形表面来降低系统的表面能,而晶体由于质点不能自由流动,只能借助于离子极化、变形、重排并引起()来降低表面能。A 晶格畸变B 位错C 空位D 表面吸附

考题 单选题()是晶体的一部分沿着一定的晶面和晶向相对于另一部分作相对的滑动,是晶体发生塑性变形的主要方式。A 攀移B 滑移C 位错D 剪切