考题
概念的限制是通过()。
A、增加概念的内涵以缩小概念的外延B、减少概念的内涵以扩大概念的外延C、增加概念的内涵以扩大概念的外延D、减少概念的内涵以缩小概念的外延
考题
每一个概念都包括内涵与外延两个方面。概念的内涵和外延的关系是( )
A.内涵越大，外延越大
B.内涵越小，外延越小
C.内涵越大，外延越小
D.内涵越小，外延越大
考题
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
考题
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
考题
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
考题
增加概念内涵、缩小概念外延的过程是对概念的概括。
考题
讲清概念的方法是（）。A、扩大外延、扩大内涵B、扩大外延，减少内涵C、减少外延、减少内涵D、减少外延，扩大内涵
考题
“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
考题
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
考题
概念的内涵指的是概念所反映的事物的本质，外延指的是概念的范围。概念的内涵增加的同时，也就是使本质的条款更多，它的外延就（）了。A、大B、多C、小D、增加
考题
单选题半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A
①②④B
①②③④C
②③④D
③④
考题
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
考题
问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？
考题
问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？
考题
填空题“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
考题
问答题什么叫做分子束外延？什么叫做同质外延？什么叫做异质外延？
考题
问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
考题
问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延？
考题
填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。
考题
单选题概念的内涵指的是概念所反映的事物的本质，外延指的是概念的范围。概念的内涵增加的同时，也就是使本质的条款更多，它的外延就（ ）了。A
大B
多C
小D
增加
考题
单选题概念的内涵指的是概念所反映的事物的本质，外延指的是概念的范围，概念的内涵增加的同时，也就是本质的条款更多，它的外延就（ ）了。A
大B
多C
小D
增加
考题
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延