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晶体管工作在安全工作区，需要IC ，UCE ，集电极耗散功耗PC 。
参考答案和解析
U(BR)CEO
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考题
图7-52中（a）所示的固定偏置放大电路中，己知晶体管的输出特性曲线和电路的直流负载线[图7-52中的（b）]，可得出该电路的静态值为（）。
A.UCE=3.1V,Ic=2.2mA B.UCE=5.5V,Ic=1.5mA
C.UCE=3V,Ic=12mA D.UCE=8.8V，Ic=0.8mA
考题
已知某三极管Pcm＝100mw，Icm＝20mA，Uceo＝15V，试问以下四种情况下，哪种情况能正常工作（）。A、Uce=2V；Ic＝40mAB、Uce=10V；Ic＝20mAC、Uce=10V；Ic＝20mAD、Uce=3V；Ic＝10mA
考题
在分压偏置电路中，增大Rc而管子还始终处于放大区，其余原件不变，那么静态工作点的变化情况（）A、Ib，Ic，Uce均不变B、Ib不变，Ic增大，Uce减小C、Ib不变，Ic减小，Uce增大D、Ib，Ic均不变，Uce减小
考题
某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM=500mW，集电极最大允许电流ICM=500mA，在实际应用线路中测得它的集电极电流IC=100mA，UCE=6V，其后果为（）A、该管应过热而损坏B、该管可长期安全工作C、该管可安全工作、但将下降
考题
某晶体管的极限参数ICM=20mA，PCM=100mW，U（BR）CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过（）mA；当工作电压UCE=1V时，不得超过（）mA；当工作电流IC=20mA时，CEU不得超过（）V。
考题
功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射级允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线C、临界饱和线D、二次击穿触发功率线
考题
某三极管的极限参数为ICM =30 mA、P=200 mW、UBR（CEO）=30V。当工作电压 UCE=10V时，工作电流IC不得超过（）mA；当工作电压UCE=1V时， IC不得超过（）mA；当工作电流IC=1mA时，UCE不得超过（）V
考题
有人选用最大允许集电极电流ICM=20mA，最大允许电压UCEO=20V，集电极最大允许耗散功率PCM=100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC=15mA，UCE=10V，则该管应属于下列四种状态中的（）A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏
考题
某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流不得超过（）mA；若工作电压UCE=1V，则工作电流不得超过（）mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压不得超过（）V。
考题
单选题在分压偏置电路中，增大Rc而管子还始终处于放大区，其余原件不变，那么静态工作点的变化情况（）A
Ib，Ic，Uce均不变B
Ib不变，Ic增大，Uce减小C
Ib不变，Ic减小，Uce增大D
Ib，Ic均不变，Uce减小
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