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按结构不同，场效应管可分为结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（IGFET）两大类。

参考答案和解析
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考题 绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管除了结型场效应管外,还有()型场效应管; A.绝缘型；B.IGBT型；C.稳压型；
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考题 下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
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考题 结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
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考题 高压复合结型场效应管
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 （）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
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考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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考题 场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
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考题 场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A、绝缘型；B、IGBT型；C、稳压型；
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考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
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考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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考题 结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
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考题 场效应管按结构分为结型和（）两种类型。
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考题 绝缘栅型场效应管又分为（）和（），两者区别（）。
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考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
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考题 通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
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考题 绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
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考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
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考题 静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）
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考题 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
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考题 单选题场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A 绝缘型；B IGBT型；C 稳压型；
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考题 填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
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